[发明专利]数据保护位的验证方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本发明公开了一种数据保护位的验证方法、装置、电子设备及存储介质，其中验证方法包括以下步骤：S1、枚举状态寄存器的数据保护位的所有组合，获取每种组合中数据保护位保护的具体区域地址；S2、设计验证范式，根据验证范式循环遍历每种组合生成对应的测试用例；S3、仿真遍历每个测试用例获取报告文件，并根据报告文件校验待测芯片中状态寄存器的数据保护位；该验证方法通过枚举数据保护位的所有组合并获取每种组合所保护的具体区域地址，根据验证范式来遍历生成可用于验证的测试用例，然后通过测试用例仿真生成的报告文件来校验状态寄存器的数据保护位，可通用于不同内存大小的NOR Flash数据保护位的验证，验证过程简单、便捷、高效。

技术领域

本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种数据保护位的验证方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

写保护是NOR Flash提供的功能，用户通过配置状态寄存器的不同组合，可以将NOR Flash的不同区域保护起来，假如没有对被保护区域进行解除保护，那么在NOR Flash的该区域内无法进行写入和擦除操作，所有的对被保护区域内发送的写入和擦除指令都会被NOR Flash直接忽略掉。

研发人员在设计不同内存大小的NOR Flash的时候，由于不同的内存的NOR Flash对应的地址大小也不同，因此对于状态寄存器的中的数据保护位组合，在内存不同的NORFlash中保护的区域并不相同。

因此，对于不同内存大小的NOR Flash验证对应的数据保护位；现有技术中，在验证不同内存大小NOR Flash的数据保护位的时候,需人为重写关于写保护相关的测试用例去验证不同的状态寄存器的写保护位的组合是否对对应的区域起到保护作用。由于状态寄存器的写保护位的组合是固定的，只是其对应的保护区域不同而已，在验证不同内存的NORFlash的写保护位的时候，假如每次开发过程都对写保护位的每种组合逐一写测试用例去测试，只是重复的在不同的测试用例中进行更改保护区域地址的操作，不仅效率低下而且人为写太多的测试用例过程繁琐。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种数据保护位的验证方法、装置、电子设备及存储介质，可通用于不同内存大小的NOR Flash数据保护位的验证获取，且验证过程简单、便捷、高效。

第一方面，本申请实施例提供了一种数据保护位的验证方法，用于验证NOR Flash的数据保护位，所述方法包括以下步骤：

S1、枚举状态寄存器的数据保护位的所有组合，获取每种组合中数据保护位保护的具体区域地址；

S2、设计验证范式，根据验证范式循环遍历每种组合生成对应的测试用例；

S3、仿真遍历每个测试用例获取报告文件，并根据报告文件校验待测芯片中状态寄存器的数据保护位。

本申请实施例的一种数据保护位的验证方法，通过枚举状态寄存器的数据保护位的所有组合结合获取每种组合中数据保护位保护的具体区域地址，来构建可用于验证的测试用例，然后根据范式生成验证测试用例并检查仿真结果即可校验状态寄存器的数据保护位，该方法适用于不同内存大小的NOR Flash数据保护位的验证校验，验证过程简单便捷，且覆盖范围广，可高效、准确地验证目标NOR Flash的数据保护位。

所述的一种数据保护位的验证方法，其中，步骤S3中的数据保护位验证成功的条件为：数据保护位的组合所保护的区域不可执行写入和擦除操作，数据保护位的组合未保护的区域可执行写入和擦除操作。

所述的一种数据保护位的验证方法，其中，步骤S3中仿真遍历每个测试用例后，所述报告文件基于仿真结果生成。

所述的一种数据保护位的验证方法，其中，所述报告文件中包含关于数据保护位的组合所保护的区域是否可执行写入和擦除操作的第一操作信息，以及关于数据保护位的组合未保护的区域是否可执行写入和擦除操作的第二操作信息。