[发明专利]编程方法、存储电路结构、装置、电子设备及存储介质

说明书

本申请提供了一种编程方法、装置、电子设备及存储介质，其技术方案要点是：编程电路与编程校验电路各自使用独立的数据线，该方法的步骤包括：获取用户发送的多区块编程指令；根据所述多区块编程指令控制对应的两个区块执行编程操作或编程校验操作，使两个所述区块之间的编程操作与编程校验操作交替同步执行，两个所述区块为区块0和区块1；根据编程校验结果选择执行编程操作直至所有区块通过编程校验。本申请提供的一种提高多区块编程效率的方法、装置、电子设备及存储介质具有编程效率高的优点。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种编程方法、存储电路结构、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

在NOR FLASH一次完整的编程操作中，需要不断的重复编程、编程校验、编程、编程校验......的操作，直至通过编程校验，然而，在NOR FLASH存储器的内部电路结构中，编程电路与校验电路并不能一起工作，因此在需要对存储器进行编程时，只能按照顺序对区块进行编程，目前的常规编程方式如图5所示，这种编程方式会导致后续的待编程的区块需要耗费大量的等待时间，这无疑严重拖慢了整体的编程效率。

针对上述问题，亟需进行改进。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种编程方法、存储电路结构、装置、电子设备及存储介质，具有编程效率高的优点。

第一方面，本申请实施例提供了一种编程方法，技术方案如下：编程电路与编程校验电路各自使用独立的数据线，该方法的步骤包括：

获取用户发送的多区块编程指令；

根据所述多区块编程指令控制对应的两个区块执行编程操作或编程校验操作，使两个所述区块之间的编程操作与编程校验操作交替同步执行，两个所述区块为区块0和区块1；

根据编程校验结果选择执行编程操作直至所有区块通过编程校验。

进一步地，在本申请实施例中，所述根据所述多区块编程指令控制对应的两个区块执行编程操作或编程校验操作，使两个所述区块之间的编程操作与编程校验操作交替同步执行的步骤包括：

对所述区块0执行编程校验操作；

对所述区块0执行编程操作，同时对所述区块1执行编程校验操作。

进一步地，在本申请实施例中，所述根据所述多区块编程指令控制对应的两个区块执行编程操作或编程校验操作，使两个所述区块之间的编程操作与编程校验操作交替同步执行的步骤包括：

对所述区块0执行编程校验操作，同时对所述区块1执行编程操作；

对所述区块0执行编程操作，同时对所述区块1执行编程校验操作。

进一步地，在本申请实施例中，所述根据所述多区块编程指令控制对应的两个区块执行编程操作或编程校验操作的步骤包括：

根据所述多区块编程指令由逻辑电路产生pgm_en[1:0]控制信号以及verify_en[1:0] 控制信号；

根据所述pgm_en[1:0]控制信号将编程数据通过编程电路编程至对应的区块上；

根据所述verify_en[1:0] 控制信号将对应区块的编程校验数据输出至编程校验电路中执行编程校验操作。

进一步地，在本申请实施例中，所述根据所述pgm_en[1:0]控制信号将编程数据通过编程电路编程至对应的区块上的步骤包括：

使用单独的数据线将编程数据通过编程电路编程至对应的区块上。

进一步地，在本申请实施例中，所述根据所述verify_en[1:0] 控制信号将对应区块的编程校验数据输出至编程校验电路中执行编程校验操作的步骤包括：

使用单独的数据线将对应区块的编程校验数据输出至编程校验电路中执行编程校验操作。

第二方面，本申请还提供一种存储电路结构，包括：