[发明专利]非易失性存储器编程方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本申请提供了一种非易失性存储器编程方法、装置、电子设备及存储介质，其技术方案要点是：包括：获取位于暂存区内的编程数据是否达到设定值的判断结果；根据所述判断结果决定是否进入编程状态。本申请提供的一种非易失性存储器编程方法、装置、电子设备及存储介质具有编程速度快的优点。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种非易失性存储器编程方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

对于Nor Flash非易失性存储器而言，编程操作是存储芯片的重要操作步骤，而编程所耗时间是衡量编程表现的一项关键参数。常规Nor Flash非易失性存储器的所需编程时间一般在0.3~6ms，一般而言Nor Flash编程操作包括以下主要步骤：编程数据记录，编程验证，编程。编程验证开始前必须等编程数据记录完成才能开始，因此，在执行编程操作前，需要等待编程数据记录完成才可以进行，这导致了编程时间被拉长。

针对上述问题，亟需进行改进。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种非易失性存储器编程方法、装置、电子设备及存储介质，具有编程速度快的优点。

第一方面，本申请实施例提供了一种非易失性存储器编程方法，技术方案如下：

包括：

获取位于暂存区内的编程数据是否达到设定值的判断结果；

根据所述判断结果控制非易失性存储器进入编程状态。

进一步地，在本申请实施例中，所述根据所述判断结果控制非易失性存储器进入编程状态的步骤包括：

如果位于暂存区内的编程数据没有达到设定值，则不进入编程状态；

如果位于暂存区内的编程数据达到设定值，则进入编程状态。

进一步地，在本申请实施例中，所述如果位于暂存区内的编程数据达到设定值，则进入编程状态的步骤包括：

执行编程验证操作；

如果编程验证通过则结束；

如果编程验证不通过则执行编程操作；

执行编程操作后执行编程验证操作直至编程验证通过。

进一步地，在本申请实施例中，所述如果位于暂存区内的编程数据达到设定值，则进入编程状态的步骤包括：

执行编程操作；

执行编程验证操作；

如果编程验证通过则结束；

如果编程验证不通过则返回至执行编程操作直至编程验证通过。

进一步地，在本申请实施例中，还包括：

判断所述编程数据中的最后一个字节是否为完整字节；

如果所述最后一个字节是不完整的字节，则使用预设数据对所述最后一个字节进行补位修复，使其变成一个完整字节。

进一步地，在本申请实施例中，所述预设数据采用0或1。

进一步地，在本申请实施例中，在所述如果所述最后一个字节是不完整的字节，则使用预设数据对所述最后一个字节进行补位修复，使其变成一个完整字节的步骤之后还包括：

在下一次编程中，对所述最后一个字节进行重新编程。

第二方面，本申请还提供一种非易失性存储器编程装置，包括：

第一获取模块，用于获取位于暂存区内的编程数据是否达到设定值的判断结果；

第一处理模块，用于根据所述判断结果控制非易失性存储器进入编程状态。

第三方面，本申请还提供一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上所述方法中的步骤。