[发明专利]一种改善刻蚀水印的装置及刻蚀机在审
申请号: | 202110729439.8 | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN113451442A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 周翔;雷佳;黄明;邵辉良;祝春华 | 申请(专利权)人: | 上饶捷泰新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/306 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 豆贝贝 |
地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 刻蚀 水印 装置 | ||
1.一种改善刻蚀水印装置,其特征在于,包括设置在刻蚀机台用于承载晶片的滚轮,所述滚轮包括旋转轴以及设置在所述旋转轴表面的螺纹结构。
2.如权利要求1所述改善刻蚀水印的装置,其特征在于,所述螺纹结构包括逆时针走向的第一螺纹单元和顺时针走向的第二螺纹单元。
3.如权利要求2所述改善刻蚀水印的装置,其特征在于,所述第一螺纹单元和所述第二螺纹单元的长度相等。
4.如权利要求3所述改善刻蚀水印的装置,其特征在于,所述第一螺纹单元、所述第二螺纹单元的螺距相等。
5.如权利要求4所述改善刻蚀水印的装置,其特征在于,所述第一螺纹单元、所述第二螺纹单元沿着所述滚轮的旋转轴方向的曲线为正弦曲线或圆锥曲线。
6.如权利要求5所述改善刻蚀水印的装置,其特征在于,所述旋转轴与所述螺纹结构为一体式结构。
7.如权利要求6所述改善刻蚀水印的装置,其特征在于,还包括设置在所述刻蚀机台的水膜管的节流阀,用于控制所述水膜管的输出量。
8.如权利要求7所述改善刻蚀水印的装置,其特征在于,所述节流阀为PVDF节流阀、peek节流阀、PTFE节流阀、PA46节流阀、PA6T节流阀或LCP节流阀。
9.一种刻蚀机,包括如权利要求1-8任一项所述改善刻蚀水印的装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的