[发明专利]发光器件、阵列基板、显示面板及像素电路

说明书

本申请公开了一种发光器件、阵列基板、显示面板及像素电路，发光器件包括层叠设置的第二电极、发光层和第一电极，发光器件还包括：电荷存储部，设置于第一电极远离发光层一侧且与第一电极绝缘设置，电荷存储部在发光层上的正投影与第一电极在发光层上的正投影至少部分重叠，电荷存储部用于存储电荷。本申请能够提升低灰阶状态下TFT对于电流的控制能力。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光器件、阵列基板、显示面板及像素电路。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)作为新型显示技术，具有高色域、可折叠、响应速度快等优势，因而OLED显示面板市场占有率逐年增加。

随着OLED材料的高速发展，近年来OLED显示面板的器件效率逐年上升，功耗逐年降低。随着器件效率的提升，低灰阶屏体的电流也随之越来越低，导致薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)对电流控制的难度进一步增大。目前的OLED器件，即使较为微弱的电流在由TFT注入阳极时，阳极电位也可以会迅速上升并达到启亮电压进行发光，对低灰阶的画质改善及黑画面屏体关断产生了极大的考验，而为了低灰阶画质从而降低器件效率又与主流市场需求违背，两者难以兼顾。

发明内容

本申请实施例提供一种发光器件、阵列基板、显示面板及像素电路。

第一方面，本申请实施例提供一种发光器件，包括层叠设置的第二电极、发光层和第一电极，发光器件还包括：电荷存储部，设置于第一电极远离发光层一侧且与第一电极绝缘设置，电荷存储部在发光层上的正投影与第一电极在发光层上的正投影至少部分重叠，电荷存储部用于存储电荷。

根据本申请第一方面的前述实施方式，发光器件还包括：第一介电层，设置于第一电极与电荷存储部之间，第一介电层能够在第一电极和电荷存储部之间形成电势差时允许电荷隧穿，电荷存储部用于捕获并存储注入至第一电极的电荷。

根据本申请第一方面的前述任一实施方式，电荷存储部包括一个电荷存储块，电荷存储块在发光层上的正投影与第一电极在发光层上的正投影至少部分重叠；或电荷存储部包括在发光器件厚度方向上层叠设置的多个电荷存储块，任意相邻两个电荷存储块通过第二介电层绝缘设置，且任意相邻两个电荷存储块在发光层上的正投影至少部分重叠。

根据本申请第一方面的前述任一实施方式，电荷存储块在发光层上的正投影与第一电极在发光层上的正投影完全重叠。

根据本申请第一方面的前述任一实施方式，电荷存储块的厚度为1nm-1000nm。

根据本申请第一方面的前述任一实施方式，电荷存储块的材料选用电导率大于10^-8S/cm的材料。

根据本申请第一方面的前述任一实施方式，电荷存储块的材料包括半导体材料。

根据本申请第一方面的前述任一实施方式，电荷存储块的材料包括金属纳米颗粒、量子点材料及双极性材料中的至少一者。

根据本申请第一方面的前述任一实施方式，纳米金属颗粒包括金、铜及银中的至少一者；量子点材料包括硒化锌、硫化锌及钙钛矿中的至少一者；双极性材料包括并五苯和氧化锡中的至少一者。

根据本申请第一方面的前述任一实施方式，第一介电层能够在第一电极与电荷存储部之间的电势差达到第一预定值时允许电荷隧穿，第一预定值小于发光器件的启亮电压。

根据本申请第一方面的前述任一实施方式，第一预定值为0.05V-0.5V。

根据本申请第一方面的前述任一实施方式，第一介电层的介电常数为2-100。

根据本申请第一方面的前述任一实施方式，第一介电层的厚度为2nm-100nm。