[发明专利]一种自驱动湿度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种自驱动湿度传感器，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底的正面刻蚀有纳米结构，所述半导体基底的正面围绕所述纳米结构制备有介电层，所述介电层上制备有悬浮电极，所述悬浮电极与纳米结构之间设有间隙，所述悬浮电极上位于所述纳米结构上方刻蚀有孔道结构，所述半导体基底的背面制备有底电极，所述底电极和悬浮电极上均连接有导线，所述介电层通过磁控溅射或原子层沉积法制备；

所述自驱动湿度传感器的制备方法包括以下步骤：

对半导体基底的正面进行图案化处理；

利用磁控溅射或原子层沉积法在半导体基底的正面裸露区域制备介电层，在所述介电层上制备保护层，并进行去图案化；

在所述半导体基底的正面未制备介电层区域刻蚀纳米结构；

在所述介电层上制备悬浮电极，所述悬浮电极与纳米结构之间设有间隙，在所述悬浮电极上位于所述纳米结构上方刻蚀孔道结构；

在所述半导体基底的背面制备底电极；

将导线连接至所述底电极和悬浮电极上。

2.如权利要求1所述的自驱动湿度传感器，其特征在于，所述半导体基底为单晶硅、锗、砷化镓中的一种或多种，所述介电层为氧化硅、氧化铝、氧化铪中的一种或多种，所述底电极为金、铂、银、铝、铜中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的自驱动湿度传感器，其特征在于，所述纳米结构为- 纳米线或纳米孔，所述孔道结构为圆孔或栅格。

4.如权利要求1所述的自驱动湿度传感器，其特征在于，所述悬浮电极为碳、碳纳米管、石墨烯、金、铂、银中的一种或多种相互组合的复合电极。

5.如权利要求1所述的自驱动湿度传感器，其特征在于，所述在所述半导体基底的正面未制备介电层区域刻蚀纳米结构，包括：在所述半导体基底的正面未制备介电层区域利用干法离子刻蚀或金属辅助湿法刻蚀法刻蚀纳米结构。

6.如权利要求1所述的自驱动湿度传感器，其特征在于，所述对半导体基底的正面进行图案化处理，包括：通过光刻或掩膜板对半导体基底的正面进行图案化处理。

7.如权利要求1所述的自驱动湿度传感器，其特征在于，在所述半导体基底的背面制备底电极，包括：通过热蒸镀的方法在所述半导体基底的背面制备底电极。

8.如权利要求1所述的自驱动湿度传感器，其特征在于，在对半导体基底的正面进行图案化处理之前，还包括步骤：

对半导体基底进行清洗。