[发明专利]3D存储器件的栅线缝隙图案化方法及曝光掩模

权利要求书

1.一种用于3D存储器件的曝光掩模，所述3D存储器件包括具有端部的结构特征，所述曝光掩模包括：

基板；以及

位于所述基板上的掩模图案，所述掩模图案包括与所述结构特征相对应的特征图形，以及邻近所述特征图形的亚分辨率辅助图形，

其中，所述亚分辨率辅助图形至少部分围绕所述特征图形的端部边角，以优化所述结构特征的端部形状。

2.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，所述特征图形的端部包括至少两个边角，每个所述边角对应设置一个呈弯折结构、且围绕该边角设置的所述亚分辨率辅助图形。

3.根据权利要求2所述的曝光掩模，其中，每个所述亚分辨率辅助图形包括两个相互连接的条状图形，两个所述条状图形分别与对应的所述边角的两个侧边平行。

4.根据权利要求2所述的曝光掩模，其中，所述特征图形的端部为矩形图案，所述亚分辨率辅助图形的数量为两个，分别为第一L形图形和第二L形图形；

所述第一L形图形、所述第二L形图形分别包括：沿着所述矩形图案的侧边延伸的第一条状图形，以及沿着所述矩形图案的顶边延伸的第二条状图形。

5.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，所述亚分辨率辅助图形包括与所述特征图形的端部的侧边一一对应设置的多个条状图形，多个所述条状图形连接在一起，以围绕所述特征图形的端部设置。

6.根据权利要求5所述的曝光掩模，其中，所述特征图形的端部为矩形图案，所述亚分辨率辅助图形包括三个所述条状图形，相邻的所述条状图形相互连接，构成围绕所述特征图形的端部设置的凹字形图案。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的曝光掩模，其中，相互连接的两个所述条状图形构成靠近所述特征图形的内凹部和远离所述特征图形的外凸部，所述内凹部、所述外凸部分别包括连接在一起的至少两段折线；或者，所述内凹部、所述外凸部分别包括一段弧线。

8.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，所述亚分辨率辅助图形的宽度为1.5～2.5倍的光刻系统的成像分辨率。

9.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，所述亚分辨率辅助图形与所述特征图形的间距为20nm～30nm。

10.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，所述结构特征包括所述3D存储器中的开口和条带中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，所述特征图形包括选自掩模层中的开口和条带的至少一种。

12.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，所述特征图形的中间部分的侧边为折线，以获得沿着所述特征图形的长度方向变化的宽度。

13.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，对应于所述掩模图案的光致抗蚀剂图案的特征图形的端部形状，与所述结构特征的端部形状相对应。

14.根据权利要求13所述的曝光掩模，其中，所述光致抗蚀剂图案的特征图形的端部形状为选自半圆形和圆弧形的任意一种。

15.根据权利要求13所述的曝光掩模，其中，所述结构特征的宽度大致等于临界尺寸，所述光致抗蚀剂图案的特征图形的端部形状随着临界尺寸的减小从半圆形变化至圆弧形，以维持曲率半径。

16.根据权利要求13所述的曝光掩模，其中，所述光致抗蚀剂图案的特征图形的端部和中间部的宽度大致相等。