[发明专利]一种低功耗超快恢复整流二极管的制造方法在审
| 申请号： | 202110731939.5 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113314414A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴王进;古进;龚昌明;杨波;陈海;何燕杰;唐志甫 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 汪劲松 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 恢复 整流二极管 制造 方法 | ||
1.一种低功耗超快恢复整流二极管的制造方法，其步骤为：
一、选用高电导P型单晶硅片，先进行单面硼扩散，再在硼扩散面采用电子束蒸发形成金属化层薄膜；
二、选用N型单晶硅片，进行单面硼扩散，后在硼面进行电子束蒸发形成金属化层薄膜；
三、将步骤一和步骤二加工好的硅片采用金属化层进行高温键合，键合设备为真空烧结炉；
四、将键合好的硅片进行硅片研磨减薄；。
五、将研磨好的硅片清洗干净；
六、调节离子注入机的能量和注入角度，N型硅片面进行磷的注入，对P型硅片进行硼的注入；
七、将离子注入后的硅片进行电子束蒸发形成双面金属化层。
八、管芯成形；
九、装模烧焊；
十、腐蚀成型。
2.如权利要求1所述的低功耗超快恢复整流二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤一中P型单晶硅片的厚度为300μm±5μm，电阻率为0.01Ω·cm～0.02Ω·cm。
3.如权利要求1所述的低功耗超快恢复整流二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤二中N型单晶硅片的厚度为300μm±5μm，电阻率为20Ω·cm～25Ω·cm。
4.如权利要求1所述的低功耗超快恢复整流二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤四中N型硅片研磨掉180μm±5μm，P型硅片研磨掉180μm±5μm，研磨后硅片总厚度为240μm±5微米。
5.如权利要求1所述的低功耗超快恢复整流二极管的制造方法，其特征在于：步骤六中所述离子注入机的能量和注入角度大小为dose＝1e13和0degrees。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
