[发明专利]一种晶体生长控制方法、装置、系统及可读存储介质

权利要求书

1.一种晶体生长控制方法，其特征在于，包括：

获取晶体生产设备的数据信息，所述数据信息包括设备运行参数信息和晶体生长参数信息；

判断所述数据信息中是否存在异常数据，若不存在，则依据预先建立的晶体生长量模型判断晶体的当前生长量是否达到最优生长量，若未达到，则根据所述晶体生长量模型对所述晶体生产设备的参数进行调节。

2.根据权利要求1所述的晶体生长控制方法，其特征在于，所述预先建立的晶体生长量模型为晶体的重量与生长量的曲线模型。

3.根据权利要求2所述的晶体生长控制方法，其特征在于，所述晶体的重量与生长量的曲线模型的建立方法为：

获取多个历史数据，所述历史数据包括晶球质量数据；

从所述各个历史数据中筛选出满足预设要求的各个目标晶球质量数据，所述预设要求为晶球质量达到预设等级、功耗小于预设功耗及耗时小于第一预设时长中的一种或多种的组合；

根据各个所述目标晶球质量数据中的重量和生长量数据，建立晶体的重量与生长量的曲线模型。

4.根据权利要求1所述的晶体生长控制方法，其特征在于，在所述判断所述数据信息中是否存在异常数据之后，还包括：

若存在异常数据，则根据所述数据信息判断在第二预设时长内是否存在重量波动，若存在重量波动，则存在粘锅异常，并对所述晶体生产设备的参数进行调节，以进行粘锅异常处理。

5.根据权利要求4所述的晶体生长控制方法，其特征在于，所述对所述晶体生产设备的参数进行调节，以进行粘锅异常处理的过程为：

根据所述设备的当前工作模式，关闭对应的斜率，并对所述设备进行升温和提升拉速；

当检测到晶体的生长量斜率大于等于0时，开启所述斜率；

当检测到晶体的当前重量与粘锅点重量之差大于预设重量时，对所述设备进行降温处理；

依据所述重量与生长量的曲线模型对所述晶体的当前重量进行监测，并在与所述当前重量对应的生长量位于对应的最优生长区间内时，粘锅异常处理结束。

6.根据权利要求1所述的晶体生长控制方法，其特征在于，在所述判断所述数据信息中是否存在异常数据之前，还包括：

对所述数据信息进行预处理，得到预处理后的数据信息。

7.一种晶体生长控制装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取晶体生产设备的数据信息，所述数据信息包括设备运行参数信息和晶体生长参数信息；

第一判断模块，用于判断所述数据信息中是否存在异常数据，若不存在，则触发第二判断模块；

所述第二判断模块，用于依据预先建立的晶体生长量模型判断晶体的当前生长量是否达到最优生长量，若未达到，则触发调节模块；

所述调节模块，用于根据所述晶体生长量模型对所述晶体生产设备的参数进行调节。

8.一种晶体生长控制系统，其特征在于，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6任一项所述晶体生长控制方法的步骤。

9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述晶体生长控制方法的步骤。