[发明专利]一种牺牲性的碳化硅籽晶的保护膜有效
| 申请号： | 202110733394.1 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113502540B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 陈建明;姜树炎;周元辉;刘春艳;杨洪雨 | 申请（专利权）人： | 苏州优晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B28/02 |
| 代理公司： | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人： | 胡妍 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 牺牲 碳化硅 籽晶 保护膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种牺牲性的碳化硅籽晶的保护膜，其特征在于：
包括覆盖在籽晶正面的第一碳化硅多晶膜(3)以及覆盖在籽晶背面的第二碳化硅多晶膜(5)；
所述第二碳化硅多晶膜(5)为双层复合膜，依次包括第一膜层(7)和第二膜层(8)；
所述籽晶(1)背面依次覆盖有第二碳化硅多晶膜(5)、碳膜(9)和石墨纸(10)，所述第二膜层(8)与碳膜(9)相贴合；
所述第一碳化硅多晶膜(3)的厚度在0.05-0.1mm范围内；
所述第二碳化硅多晶膜(5)的厚度在0.1-0.5mm范围内；
所述第二碳化硅多晶膜(5)中第一膜层(7)和第二膜层(8)的厚度比为1/4～2/3；第一膜层(7)由粒径在5-10μm范围内的碳化硅颗粒烧结制得；第二膜层(8)由粒径在15-20μm范围内的碳化硅颗粒烧结制得。
2.根据权利要求1所述的一种牺牲性的碳化硅籽晶的保护膜，其特征在于：所述第一碳化硅多晶膜(3)和第二碳化硅多晶膜(5)通过直接在籽晶表面反应烧结的方法获得。
3.根据权利要求2所述的一种牺牲性的碳化硅籽晶的保护膜，其特征在于：所述碳膜(9)与石墨纸(10)通过粘合的方式固定，粘结剂为高温石墨胶、酚醛树脂胶、环氧树脂胶或糖胶中的一种或几种。
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