[发明专利]一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺在审
申请号: | 202110733466.2 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113659738A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 姜桂君;张继林;张学斌;唐啸;李晨 | 申请(专利权)人: | 信维通信(江苏)有限公司 |
主分类号: | H02J50/70 | 分类号: | H02J50/70;B32B37/10;B32B38/18;B32B38/14 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 张鹏 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无线 充电 屏蔽 制备 设备 工艺 | ||
1.一种无线充电用屏蔽片制备设备,其特征在于:包括第一放卷轴、第一收卷轴、多个二次碎磁装置及多个压合组件,所述第一放卷轴用于放卷托底膜,所述第一收卷轴用于收卷托底膜,所述二次碎磁装置依次间隔设于所述托底膜的行进路径的上方,所述二次碎磁装置包括放卷辊、第二放卷轴、第二收卷轴、碎磁辊和支撑辊,所述放卷辊用于放卷整体碎磁后的纳米晶带材,所述第二放卷轴用于放卷支撑保护整体碎磁后的纳米晶带材的保护膜,所述碎磁辊对应于支撑辊设置,所述碎磁辊用于对整体碎磁后的纳米晶带材进行第二次碎磁,所述第二收卷轴用于收卷与经第二次碎磁后的纳米晶带材分离的所述保护膜;所述压合组件与所述二次碎磁装置一一对应设置,压合组件用于将经第二次碎磁后的纳米晶带材压合在托底膜或另一经第二次碎磁后的纳米晶带材上;所述碎磁辊上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区。
2.根据权利要求1所述的无线充电用屏蔽片制备设备,其特征在于:还包括用于纠偏所述托底膜的自动纠偏装置。
3.根据权利要求2所述的无线充电用屏蔽片制备设备,其特征在于:所述自动纠偏装置靠近所述第一放卷轴设置。
4.根据权利要求1所述的无线充电用屏蔽片制备设备,其特征在于:靠近所述第一放卷轴的所述二次碎磁装置上还设有用于在所述托底膜上设置标记的打标组件,其余的所述二次碎磁装置上还设有识别所述标记的定位组件。
5.根据权利要求1所述的无线充电用屏蔽片制备设备,其特征在于:所述二次碎磁装置还包括连接所述碎磁辊的压力调节组件。
6.一种无线充电用屏蔽片制备工艺,其特征在于:包括如下步骤,
提供经过整体碎磁的多个纳米晶带材;
利用碎磁辊对所述纳米晶带材进行第二次碎磁,所述碎磁辊上设有能够在所述纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区;
将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连,得到叠构带材;
裁切所述叠构带材,得到无线充电用屏蔽片。
7.根据权利要求6所述的无线充电用屏蔽片制备工艺,其特征在于:“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时,相邻的两个纳米晶带材上的环状图案对齐。
8.根据权利要求7所述的无线充电用屏蔽片制备工艺,其特征在于:“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时,先在托底膜上层叠压合一层经过所述第二次碎磁的纳米晶带材,然后将另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在前一次已层叠压合在所述托底膜上的经过所述第二次碎磁的纳米晶带材上。
9.根据权利要求8所述的无线充电用屏蔽片制备工艺,其特征在于:在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在所述托底膜上时,在所述托底膜上制造标记;在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材上时,根据所述标记进行对位。
10.根据权利要求9所述的无线充电用屏蔽片制备工艺,其特征在于:“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时,所述托底膜处于行进状态。
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