[发明专利]一种具有钳位限流功能的高压LDO电路有效
申请号: | 202110733738.9 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113434002B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 陈玉鹏;李林喜;晋丁亥;李江山 | 申请(专利权)人: | 深圳市长运通半导体技术有限公司 |
主分类号: | G05F1/625 | 分类号: | G05F1/625 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518101 广东省深圳市宝安区新安街道兴东社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 限流 功能 高压 ldo 电路 | ||
1.一种具有钳位限流功能的高压LDO电路,其特征在于,包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1、第一稳压二极管D1、第二稳压二极管D2、第三稳压二极管D3、第四稳压二极管D4和误差放大器AMP;其中,第一NMOS管M1的漏极和第一电阻R1一端连接为输入端VIN;输入端VIN依次通过第一电阻R1、第二电阻R2接第一稳压二极管D1的反向端和第二NMOS管M2的栅极;第一电阻R1的另一端连接第一NMOS管M1的栅极;第一稳压二极管D1的正向端与第二稳压二极管D2的反向端连接;第二稳压二极管D2的正向端与第三稳压二极管D3的反向端连接;第三稳压二极管D3的正向端接地GND;第一NMOS管M1的源极、第二NMOS管M2的漏极和第三NMOS管M3的漏极连接为第三NMOS管M3的供电端VinH;第二NMOS管M2的源极连接误差放大器AMP的供电端VHC;误差放大器AMP的正向输入端接基准电压VREF;误差放大器AMP的反向输入端通过第四电阻R4接地GND;误差放大器AMP的反向输入端通过第一电容C1与第四稳压二极管D4的正向端连接为输出端Vout;误差放大器AMP的输出端和第四稳压二极管D4的反向端接第三NMOS管M3的栅极;第三NMOS管M3的源极接第四稳压二极管D4的正向端,同时还依次通过第三电阻R3、第四电阻R4接地GND;所述LDO电路的输入端通过三个稳压二极管串联将输入高电压降至一个低压范围,由第一NMOS管M1和第二NMOS管M2输出VinH和VHC分别给后级驱动管M3和误差放大器AMP供所述LDO电路最终输入端VIN的电压为100V,输出端Vout的电压为11V,输出电流为50mA。
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