[发明专利]一种弧光放电技术用于制备CoSP钠电负极材料的方法在审

专利信息
申请号: 202110733925.7 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113845099A 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 何倩;陈子博;焦云飞;韩旭然;吴强;刘显慧;陈剑宇;应世强;李谊;马延文 申请(专利权)人: 南京邮电大学;南京亿浦先进材料研究院有限公司
主分类号: C01B25/14 分类号: C01B25/14;C23C14/06;C23C14/32;H01M4/58;H01M10/054
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 姚姣阳
地址: 210003 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 弧光 放电 技术 用于 制备 cosp 负极 材料 方法
【权利要求书】:

1.一种弧光放电技术用于制备CoSP钠电负极材料的方法,其特征在于,包括如下步骤,

步骤S1、通过水热方法制备氢氧化钴的前驱体,然后放在60℃真空干燥箱中干燥12 h;

步骤S2、将氢氧化物前驱体和导电炭黑、PVDF粘结剂按照8:1:1的比例称取适量,以NMP做为溶剂,搅拌24 h后进行涂布,将均匀的膏体涂敷在铜箔上,然后在60℃下干燥12 h;

步骤S3、剪裁尺寸为3×4 cm的涂敷后的铜箔作为靶材,先对弧光放电以及磁过滤装备进行抽真空处理,使其真空度得到1×10-5 Pa;

步骤S4、将靶材放置于旋转台中央,首先进行等离子体清洗,同时提前将S单质和P单质放在弧光放电舱体中,再设置好弧光放电仪器参数,先进行弧光放电处理,再将弧光放电后的等离子体态物质施加有效磁场之后对其进行磁过滤处理;

步骤S5、进行沉积,沉积完成后,关闭弧光放电、磁过滤电源,取出样品。

2.根据权利要求1所述的一种弧光放电技术用于制备CoSP钠电负极材料的方法,其特征在于,所述步骤S4中设置好的弧光放电仪器参数为电流1~1.8A、电压150~200 V、磁场50~200 WB。

3.根据权利要求1所述的一种弧光放电技术用于制备CoSP钠电负极材料的方法,其特征在于,所述步骤S4中、将射频放电后的正离子引入磁过滤管中进行筛选,沉积10min后,关闭射频放电、磁过滤电源,释放真空度,获取双掺杂的复合材料。

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