[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法，该异质结太阳能电池包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层一侧的背面复合透明导电膜；所述背面复合透明导电膜包括：第一背面透明导电膜；位于所述第一背面透明导电膜背向所述半导体衬底层一侧表面的第二背面透明导电膜；所述第一背面透明导电膜和所述第二背面透明导电膜中均掺杂有Ⅲ族重原子，所述第二背面透明导电膜中Ⅲ族重原子的浓度小于所述第一背面透明导电膜中Ⅲ族重原子的浓度。通过该技术方案，所述异质结太阳能电池的光电转换效率和封装性能均得到提高。

技术领域

本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。

背景技术

太阳能电池是一种清洁能源电池，太阳能电池广泛的应用在生活和生产中。在太阳能电池，尤其是异质结太阳能电池的电极和非晶硅之间加一层透明导电膜(TCO)可以有效地增加载流子的收集，提高太阳能电池的转换效率。

透明导电膜包括正面透明导电膜和背面透明导电膜。目前，透明导电膜的设置使得异质结太阳能电池存在光电转换效率和封装性能较差的问题。对于异质结太阳能电池，背面透明导电膜的综合性能的优化一直是本领域技术人员研究的热点。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中异质结太阳能电池的光电转换效率和封装性能较差的问题，从而提供一种异质结太阳能电池。

本发明提供一种异质结太阳能电池，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层一侧的背面复合透明导电膜；所述背面复合透明导电膜包括：第一背面透明导电膜；位于所述第一背面透明导电膜背向所述半导体衬底层一侧表面的第二背面透明导电膜；所述第一背面透明导电膜和所述第二背面透明导电膜中均掺杂有Ⅲ族重原子，所述第二背面透明导电膜中Ⅲ族重原子的浓度小于所述第一背面透明导电膜中Ⅲ族重原子的浓度。

可选的，所述Ⅲ族重原子包括镓原子；所述第一背面透明导电膜的材料包括掺镓的氧化锌；所述第二背面透明导电膜的材料包括掺镓的氧化锌。

可选的，所述第二背面透明导电膜中镓的质量百分比浓度与所述第一背面透明导电膜中镓的质量百分比浓度的比值为1:2-1:4。

可选的，所述第一背面透明导电膜中镓的质量百分比浓度为1.5％-2％；所述第二背面透明导电膜中镓的质量百分比浓度为0.5％-1％。

可选的，所述第二背面透明导电膜的厚度与所述第一背面透明导电膜的厚度的比值为1:4-1:3。

可选的，所述第二背面透明导电膜的厚度为10nm-20nm；所述第一背面透明导电膜的厚度为50nm-60nm。

可选的，所述异质结太阳能电池还包括：位于所述第二背面透明导电膜背向所述第一背面透明导电膜一侧表面的有机封装层。

可选的，所述背面复合透明导电膜还包括：第三背面透明导电膜，所述第三背面透明导电膜的功函数高于第一背面透明导电膜的功函数且高于第二背面透明导电膜的功函数。

可选的，所述第三背面透明导电膜的迁移率大于所述第一背面透明导电膜的迁移率且大于所述第二背面透明导电膜的迁移率；所述第三背面透明导电膜中掺杂离子的浓度小于所述第一背面透明导电膜中Ⅲ族重原子的浓度且小于第二背面透明导电膜中Ⅲ族重原子的浓度。

可选的，所述第三背面透明导电膜的材料包括掺钨氧化铟。

可选的，所述掺钨氧化铟中钨的质量百分比浓度为0.1％-0.3％。

可选的，所述第三背面透明导电膜的厚度与第一背面透明导电膜的厚度的比值为1:5-1:6。