[发明专利]一种低温度系数钐钴烧结永磁材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110736541.0 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113436819A 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 向俊尤;俞奇苗;李磊;付勇兵 申请(专利权)人: 杭州科德磁业有限公司
主分类号: H01F1/055 分类号: H01F1/055;H01F41/02
代理公司: 杭州正南创想专利代理事务所(普通合伙) 33360 代理人: 杨丽萍
地址: 310000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 温度 系数 烧结 永磁 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低温度系数钐钴烧结永磁材料的制备方法,其特征在于低温度系数钐钴烧结永磁材料的制备方法所述的包括以下步骤:

第一步,配料,按照名义成分为Sm1-x-yDyxGdy (TM)z(TM = Co0.64Cu0.07Fe0.26-0.28Zr0.011)z配料;

第二步,熔炼,将配得的原材料依次置于真空感应熔炼炉进行熔炼和高温精炼,得到合金液,在水冷铜模中骤冷,得到成分均匀的钐钴合金锭;

第三步,制粉,将合金锭经过粗碎、中碎和气流磨逐级破碎,最终得到混后粒度SMD在3.0~5.0 μm范围内的粉体;

第四步,取向成型,在大于1.8 T的磁场中对磁粉进行取向,随后在大于5 MPa的压机压力下对粉体进行压制,在120 MPa的压力下进行等静压并保压2~3 min得到期望的压坯;

第五步,将压坯置入真空烧结炉进行烧结、固溶和时效。

2.根据权利要求1所述的一种低温度系数钐钴烧结永磁材料的制备方法,其特征在于:第一步中,所述的配料步骤中,满足0.01 ≤ x ≤ 0.12,0.34 ≤ y ≤ 0.67,7.7 ≤ z ≤8.4进行配料。

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