[发明专利]一种MEMS压电芯片及MEMS器件

权利要求书

1.一种MEMS压电芯片，其特征在于，包括由下到上依次设置的衬底、绝缘层和压电薄膜，所述衬底中设有腔体，所述压电薄膜包括位于腔体上方的活动部和均匀分布在活动部外周且与绝缘层连接固定的多个悬臂梁；所述悬臂梁上设有向上或向下的弯曲部，所述活动部、悬臂梁和弯曲部均为一体成型结构。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，相邻的悬臂梁之间存在孔隙，所述孔隙在垂直方向上与腔体不连通，即，孔隙在垂直方向上的投影位于衬底上。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，每个悬臂梁上至少设置一个所述弯曲部，且所有悬臂梁上的弯曲部数量和位置相同。

4.根据权利要求1或3所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述弯曲部的平面形状为与活动部同心的扇环，所述弯曲部在纵向剖面上的拐角为直角或非直角。

5.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述悬臂梁与活动部、绝缘层连接的边界为圆弧形，悬臂梁的侧边为与活动部径向平行的直线、或者曲线、或者折线。

6.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述压电薄膜自下向上依次包括下电极层、压电层及上电极层；所述下电极层和上电极层的材料为铝、钼、钛中的一种，所述压电层的材料为AlN、ZnO、PZT中的一种。

7.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述衬底采用半导体衬底，选自硅衬底、锗衬底、SOI衬底、GeOI衬底、碳化硅衬底中的一种。

8.根据权利要求1所述的一种MEMS压电芯片，其特征在于，所述腔体由所述衬底的下表面凹至所述衬底的上表面形成，所述腔体贯穿所述衬底；或所述腔体由所述衬底的上表面凹入一定深度形成，所述腔体不贯穿所述衬底。

9.一种MEMS器件，其特征在于，包含如权利要求1-8任一项所述的MEMS压电芯片。

10.根据权利要求9所述的一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括压电式压力传感器或压电麦克风。