[发明专利]显示设备和制造该显示设备的方法在审
申请号: | 202110737033.4 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113889511A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 柳春基;金亨学 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;刘美华 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
1.一种显示设备,所述显示设备包括:
基底,包括主显示区域、组件区域和外围区域,其中,所述组件区域包括透射区域,并且所述外围区域布置在所述主显示区域外部;
主薄膜晶体管,布置在所述主显示区域中;
主有机发光二极管,布置在所述主显示区域中并连接到所述主薄膜晶体管;
辅助薄膜晶体管,布置在所述组件区域中;
辅助有机发光二极管,布置在所述组件区域中并连接到所述辅助薄膜晶体管;以及
下金属层,在所述组件区域中布置在所述基底与所述辅助薄膜晶体管之间并且具有底切结构。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述下金属层包括在所述显示设备的厚度方向上具有第一厚度的第一金属层和在所述显示设备的所述厚度方向上具有第二厚度的第二金属层,
其中,所述第二厚度大于所述第一厚度。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第一厚度为至并且所述第二厚度为至
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述下金属层包括对应于所述透射区域的第一孔。
5.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第二金属层具有所述底切结构。
6.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第一金属层包括Ti、Cr、ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO中的至少一种。
7.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第二金属层包括Mo。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述下金属层直接布置在所述基底的上表面上。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述下金属层和所述辅助薄膜晶体管至少部分地彼此叠置。
10.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:
封装基底,布置在所述基底上方。
11.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:
组件,在所述组件区域中布置在所述基底下方。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述组件包括成像装置或传感器。
13.一种显示设备,所述显示设备包括:
基底,包括主显示区域、组件区域和外围区域,其中,所述组件区域包括透射区域,并且所述外围区域布置在所述主显示区域外部;
主薄膜晶体管,布置在所述主显示区域中;
主有机发光二极管,布置在所述主显示区域中并连接到所述主薄膜晶体管;
辅助薄膜晶体管,布置在所述组件区域中;
辅助有机发光二极管,布置在所述组件区域中并连接到所述辅助薄膜晶体管;
下金属层,在所述组件区域中布置在所述基底与所述辅助薄膜晶体管之间;以及
金属层,布置在所述下金属层上并且具有底切结构。
14.根据权利要求13所述的显示设备,所述显示设备还包括:
辅助存储电容器,布置在所述组件区域中,
其中,所述辅助薄膜晶体管包括辅助栅电极,并且所述辅助存储电容器包括辅助下电极和辅助上电极。
15.根据权利要求14所述的显示设备,其中,所述金属层包括第一金属层和布置在所述第一金属层上并具有所述底切结构的第二金属层。
16.根据权利要求15所述的显示设备,其中,所述金属层与所述辅助栅电极布置在同一层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的