[发明专利]基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器在审
| 申请号： | 202110738057.1 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113541635A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 赵洪元;王亚宁 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 熊玉玮;吴树山 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 相位 扰动 线性 薄膜 声波 滤波器 | ||
1.基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器，所述薄膜体声波滤波器由串联谐振器和并联谐振器级联而成，所述串联谐振器和并联谐振器结构相同且均包括：衬底及沉积在衬底上的底电极层、压电层、顶电极层，其特征在于，至少一个串联谐振器的顶电极层的上方或下方制备有相位扰动层。
2.根据权利要求1所述的基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述相位扰动层为距离串联谐振器顶电极层边界0.5um～10um的结构。
3.根据权利要求1所述的基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器，其特征在于，制备所述相位扰动层的材料为导电材料或介电材料。
4.根据权利要求1所述的基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述相位扰动层的厚度为20A～400A。
5.根据权利要求2所述的基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述相位扰动层为距离串联谐振器顶电极层边界0.5um～10um的方块状结构。
6.根据权利要求2所述的基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述相位扰动层为距离串联谐振器顶电极层边界0.5um～10um的环状结构，所述环形结构的中间开口尺寸为5um-10um。
7.根据权利要求2所述的基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述相位扰动层为距离串联谐振器顶电极层边界0.5um～10um的”H”型结构。
8.根据权利要求2所述的基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述相位扰动层为距离串联谐振器顶电极层边界0.5um～10um的双切角型结构。
9.根据权利要求1所述的基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器的设计方法，其特征在于，根据线性相位度在由f0延伸至f0+BW/2过程中的变化趋势选择扰动频率的位置，根据扰动频率确定相位扰动层的厚度，直至薄膜体声波滤波器通带频率范围内相位与一条与中心频率时延相等的传输线之间的相位差值达到线性相位度指标，其中，f0为薄膜体声波滤波器中心频率，BW为通带带宽。
10.根据权利要求9所述的基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器的设计方法，其特征在于，所述薄膜体声波滤波器通带频率范围内相位与一条与中心频率时延相等的传输线之间的相位差值的计算公式为：DeltaPHI为滤波器线性相位度，为通带内频率点对应的相位，为通带内频率点对应的相位。
11.根据权利要求9所述的基于相位扰动层的高线性相位薄膜体声波滤波器的设计方法，其特征在于，根据线性相位度在由f0延伸至f0+BW/2过程中的变化趋势选择扰动频率的位置的具体方法为：保持不变，在(f0～f0+BW/2)之间对相位曲线进行扰动以增大f0为薄膜体声波滤波器中心频率，BW为通带带宽，为通带内频率点对应的相位，为通带内频率点对应的相位。
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