[发明专利]基于二维材料的花状VS2在审

专利信息
申请号: 202110738077.9 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113562764A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 王振国;郁可;宗晖;朱自强 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: C01G31/00 分类号: C01G31/00;C01B32/921;C02F1/14;C02F103/08
代理公司: 上海德禾翰通律师事务所 31319 代理人: 夏思秋
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基于 二维 材料 vs base sub
【权利要求书】:

1.一种基于二维材料的花状VS2@Ti3C2纳米复合材料,其特征在于,所述纳米复合材料以纳米花状的VS2作为负载物,二维状的Ti3C2纳米片作为基质材料,形成稳定三维空间结构。

2.如权利要求1所述的基于二维材料的花状VS2@Ti3C2纳米复合材料,其特征在于,所述二维状的Ti3C2纳米片表面经过官能团改性,呈现亲水性;所述纳米花状的VS2为六方晶系。

3.如权利要求1所述的基于二维材料的花状VS2@Ti3C2纳米复合材料,其特征在于,所述二维状的Ti3C2纳米片为片径为1.0~2.0um,厚度为50~100nm分散的薄纳米片;所述纳米花状的VS2单片长度为150~200nm,互相成10~30°角度的交叉组合形成花状,形成稳定三维结构。

4.如权利要求1所述的基于二维材料的花状VS2@Ti3C2纳米复合材料,其特征在于,所述纳米花状的VS2为自组装生长形态。

5.一种基于二维材料的花状VS2@Ti3C2纳米复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤(1)、使用液相刻蚀法制备二维状的Ti3C2纳米片粉末;

步骤(2)、使用水热合成法,向上述步骤(1)制备的二维状的Ti3C2纳米片粉末中加入原钒酸钠和硫代乙酰胺,在180~185℃下反应20小时,结束后收集沉淀物;

步骤(3)、将所述步骤(2)中获得的沉淀物进行退火处理,得到外观呈黑色的粉末状花状VS2@Ti3C2纳米复合材料。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述Ti3C2纳米片粉末、原钒酸钠、硫代乙酰胺的质量比为(4~5):(4.5~5.5):(12~12.5);

和/或,步骤(3)中,所述退火的温度为195~205℃;所述退火的时间为2.5~3.5小时。

7.如权利要求5或6所述方法制备得到的基于二维材料的花状VS2@Ti3C2纳米复合材料。

8.如权利要求1或7所述的基于二维材料的花状VS2@Ti3C2纳米复合材料在太阳能光热海水淡化中的应用。

9.一种基于二维材料的花状VS2@Ti3C2纳米复合材料的太阳能光热转换材料层,其特征在于,所述太阳能光热转换材料层结构包括:绝热层、海水输送层、过滤层、光热材料层;所述结构以聚乙烯塑料为绝热层,以聚氨酯海绵为海水输送层,以聚偏氟乙烯滤膜为过滤层,以如权利要求1或7所述的基于二维材料的花状VS2@Ti3C2纳米复合材料为光热材料层。

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