[发明专利]一种应用于NOR flash存储器的高效擦除方法、装置及其应用在审
申请号: | 202110739018.3 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113488096A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 盛荣华;陈真;李政达;杨帅;任军;吕向东;唐伟童 | 申请(专利权)人: | 恒烁半导体(合肥)股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/34 |
代理公司: | 合肥陆纬知识产权代理事务所(普通合伙) 34218 | 代理人: | 袁浩 |
地址: | 230012 安徽省合肥市庐阳区天*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 nor flash 存储器 高效 擦除 方法 装置 及其 应用 | ||
1.一种应用于NOR flash存储器的高效擦除方法,其特征在于,包括:
设置老化程度数据与初始擦除电压强度映射关系,对NOR flash存储器的存储阵列进行区域划分,匹配各区域进行老化程度数据初始赋值,预设最大擦除次数N、单次加压强度△V和加压次数M;
读取地址,定位待擦除目标区域,获取初始擦除电压强度;
对待擦除目标区域交替执行擦除验证操作和擦除加压操作,所述擦除加压操作具体包括:
基于初始擦除电压强度,按照擦除次数每增加次,擦除电压强度递增△V顺次执行擦除加压操作,直至擦除验证通过或者达到最大擦除次数;
根据退出擦除加压操作时的擦除电压强度,更新该目标区域老化程度数据。
2.根据权利要求1所述的一种应用于NOR flash存储器的高效擦除方法,其特征在于,所述最大擦除次数N与加压次数M比值为整数,所述单次加压强度△V与加压次数M呈负相关关系。
3.根据权利要求1所述的一种应用于NOR flash存储器的高效擦除方法,其特征在于,所述擦除验证操作具体为:
判断被擦除的目标区域的阈值电压是否小于预设的电压值;若大于预设电压值则验证不通过,否则验证通过。
4.根据权利要求3所述的一种应用于NOR flash存储器的高效擦除方法,其特征在于,在获取初始擦除电压强度后,首先对待擦除目标区域执行擦除验证操作;
所述擦除加压操作为对擦除目标区域的衬底施加电压。
5.根据权利要求1所述的一种应用于NOR flash存储器的高效擦除方法,其特征在于,所述区域划分具体为按照擦除操作时的最小擦除单位划分;
所述匹配各区域进行老化程度数据初始赋值,具体包括:
基于预设电压强度对全部存储阵列执行初次擦除加压操作,执行擦除验证操作,记录验证通过的区域地址以及预设电压强度;
对验证未通过区域按照预设递增幅度执行增压后的擦除加压操作,执行擦除验证操作,记录验证通过的区域地址以及本次擦除电压强度;
重复执行上一步骤,直至所有区域均通过验证;
根据老化程度数据与初始擦除电压强度映射关系,反向得到各区域的老化程度数据进行初始赋值。
6.一种应用于NOR flash存储器的高效擦除装置,其特征在于,包括:
测控模块,配置成用于发送包括待擦除目标区域地址在内的擦除操作指令;
译码电路模块,配置成用于接收擦除操作指令并译码为可执行操作命令;
地址缓存器,配置成用于存储NOR flash存储器的存储阵列中各区域地址;
擦除数据存储单元,配置成用于存储老化程度数据与初始擦除电压强度的映射关系、各区域老化程度数据以及最大擦除次数N、单次加压强度△V和加压次数M;
擦除计数器,配置成用于实时进行对应区域擦除操作次数计数;
擦除加压操作单元;
擦除验证操作单元;
编程擦除状态机,配置成接收可执行操作命令,获取初始擦除电压强度,控制擦除加压操作单元和擦除验证操作单元对待擦除目标区域交替执行擦除验证操作和擦除加压操作,其中擦除加压操作具体为:基于初始擦除电压强度,按照擦除次数每增加次,擦除电压强度递增△V顺次执行擦除加压操作,直至擦除验证通过或者达到最大擦除次数;
所述测控模块将退出擦除加压操作时的擦除电压强度根据所述擦除数据存储单元中的映射关系转化为老化程度数据,并更新该目标区域老化程度数据。
7.根据权利要求6所述的一种应用于NOR flash存储器的高效擦除装置,其特征在于,所述擦除验证操作单元配置成根据编程擦除状态机的控制指令执行:
判断被擦除的目标区域的阈值电压是否小于预设的电压值;若大于预设电压值则验证不通过,否则验证通过。
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