[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

对所述衬底注入P型离子，以形成P型掺杂层；

刻蚀所述P型掺杂层，以形成多个至少贯穿所述P型掺杂层的开槽，所述开槽分割所述P型掺杂层以形成多个P型结构，其中，所述开槽的宽度大于所述P型结构的宽度；

在所述开槽内生长外延结构，并对所述外延结构进行N型离子注入以形成多个N型结构，所述N型结构和所述P型结构交替排布。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成多个至少贯穿所述P型掺杂层的开槽的方法包括：

在所述P型掺杂层上依次形成硬掩模材料层和光刻胶层，所述光刻胶层中形成有开口；

以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述硬掩模材料层以形成硬掩模层，并以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述P型掺杂层，且使所述开口至少延伸至所述P型掺杂层中以形成所述开槽。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，刻蚀所述硬掩膜层和所述P型掺杂层的方法为干法刻蚀，所述干法刻蚀的刻蚀气体对所述P型掺杂层和所述硬掩膜层的刻蚀选择比大于10:1。

4.如权利要求3所述的背半导体器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括：氢溴酸气体、氯气、氯化氢气体以及多卤素气体的混合气体。

5.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成光刻胶层之前，所述方法还包括：在所述硬掩模材料层上形成抗反射材料层；

以及，在刻蚀所述硬掩模层的同时，所述方法还包括：刻蚀所述抗反射材料层，以形成抗反射层并使所述开口延伸至所述抗反射层中。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述开槽的深度为所述P型结构的厚度的1.2倍～1.5倍。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述开槽内生长外延结构包括：

在所述开槽内生长初始外延结构，并使所述初始外延结构凸出于所述P型结构的顶表面；

对所述初始外延结构执行化学机械研磨工艺，以至少去除凸出于所述P型结构顶表面的部分所述初始外延结构，以形成外延结构并使所述外延结构的顶表面和所述P型结构的顶表面平齐。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述初始外延结构凸出所述P型结构的高度为

9.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述衬底注入P型离子的方法包括：执行多次P型离子注入工艺，且所述P型离子注入所述衬底的深度逐次递减；和/或，

对所述衬底注入N型离子的方法包括：执行多次N型离子注入工艺，且所述N型离子注入所述衬底的深度逐次递减。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，注入的所述P型离子包括:硼离子或二氟化硼离子；以及，注入的所述N型离子包括：磷离子。