[发明专利]一种干接点控制方法、系统及相关组件在审
申请号: | 202110741484.5 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113410815A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 肖武军;欧阳天添;陈路遥;李娜;刘欲燃;罗云飞;王奇;代飞 | 申请(专利权)人: | 中车株洲电力机车研究所有限公司 |
主分类号: | H02H3/00 | 分类号: | H02H3/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张雪娇 |
地址: | 412001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接点 控制 方法 系统 相关 组件 | ||
本申请公开了一种干接点控制方法,包括:接收控制装置在当前时间段输出的状态信号和控制信号;根据所述状态信号判断所述控制装置是否异常;若是,控制干接点断开;若否,根据所述控制信号控制所述干接点导通或断开。本申请能够提高干接点控制精准性,避免危险输出,提高电气系统的运行安全性。本申请还公开了一种干接点控制系统、干接点控制电路、电子设备及计算机可读存储介质,具有以上有益效果。
技术领域
本申请涉及电气系统领域,特别涉及一种干接点控制方法、系统及相关组件。
背景技术
在电气系统中,通常通过控制装置控制电气线路中的干接点断开和闭合,传统的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效晶体管)干接点通常采用单一电平控制方式,即由控制装置向MOSFET干接点输出对应的单一的控制电平,使MOSFET干接点导通/断开。假设控制装置输出高电平信号控制MOSFET干接点导通,输出低电平信号控制MOSFET干接点断开,在控制装置异常时,可能导致控制装置持续高电平输出,使MOSFET干接点无法正常断开,从而导致危险输出,造成MOSFET干接点后端的电气设备误操作,影响电气系统的正常运行。
因此,如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域技术人员目前需要解决的问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种干接点控制方法、系统、电路、电子设备及计算机可读存储介质,能够提高干接点控制精准性,避免危险输出,提高电气系统的运行安全性。
为解决上述技术问题,本申请提供了一种干接点控制方法,包括:
接收控制装置在当前时间段输出的状态信号和控制信号;
根据所述状态信号判断所述控制装置是否异常;
若是,控制干接点断开;
若否,根据所述控制信号控制所述干接点导通或断开。
优选的,当所述控制装置正常,所述状态信号包括动态脉冲,当所述控制装置异常,所述状态信号不包括所述动态脉冲;
相应的,所述根据所述状态信号判断所述控制装置是否异常的过程包括:
判断所述状态信号中是否包括所述动态脉冲;
若否,判定所述控制装置异常;
若是,判定所述控制装置正常。
优选的,所述根据所述控制信号控制所述干接点导通或断开的过程包括:
根据所述动态脉冲和所述控制信号控制所述干接点导通或断开。
优选的,所述根据所述动态脉冲和所述控制信号控制所述干接点导通或断开的过程包括:
当所述动态脉冲和所述控制信号均满足各自对应的导通条件,控制所述干接点导通;
当所述动态脉冲和所述控制信号均满足各自对应的断开条件,控制所述干接点断开。
优选的,所述动态脉冲对应的导通条件包括所述动态脉冲的占空比和频率均满足各自对应的导通阈值范围;所述动态脉冲对应的断开条件包括所述动态脉冲的占空比和频率均满足各自对应的断开阈值范围。
优选的,所述控制信号为经电容隔离装置隔离后的控制信号。
优选的,该干接点控制方法还包括:
当控制所述干接点断开或导通后,获取所述干接点的输出反馈信号;
将所述输出反馈信号传输至所述控制装置。
优选的,该干接点控制方法还包括:
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