[发明专利]致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将钡钽氧氮化物陶瓷粉体与乙醇混合均匀，经球磨后，干燥、过筛，得到预烧结粉体；

S2、将步骤S1所得的预烧结粉体，在加压、保护气氛条件下或者在加压、真空条件下进行放电等离子烧结，所述加压为施加100MPa～150MPa的压力，所述放电等离子烧结的烧结温度为1200℃～1300℃，升温速率为100℃/min～500℃/min，烧结保温0～10min，然后自然冷却，得到陶瓷初始烧结体；

S3、将步骤S2所得的陶瓷初始烧结体在氨气气氛、无机械压力条件下进行二次烧结，烧结温度为1220℃～1400℃，该烧结温度需大于步骤S2中的烧结温度，升温速率为10℃/min～50℃/min，烧结保温1min～100min，然后降温冷却，得到致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷。

2.根据权利要求1所述的致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S2中，烧结保温0～5min。

3.根据权利要求1所述的致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S3中，烧结保温40min～60min。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述球磨采用的球磨罐材质为聚氨酯、氧化铝或氧化锆，所述球磨采用的球磨珠材质为聚氨酯、氧化铝或氧化锆，所述球磨的时间为1h～12h，所述干燥的温度为50℃～200℃，所述干燥的时间为1h～24h，所述过筛的目数为1000目～10000目。

5.根据权利要求4所述的致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述球磨的时间为1h～6h，所述干燥的温度为80℃～240℃，所述干燥的时间为3h～18h，所述过筛的目数为5000目～8000目。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述降温冷却的冷却速率为1℃/min～200℃/min。

7.根据权利要求6所述的致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述降温冷却的冷却速率为30℃/min～100℃/min。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述保护气氛为氮气、氦气和氩气中的一种或多种。

9.一种如权利要求1～8中任一项所述的制备方法制得的致密高介电钡钽氧氮化物陶瓷。