[发明专利]一种筛选光MOS继电器的测量方法、电路及装置在审
申请号: | 202110743261.2 | 申请日: | 2021-07-01 |
公开(公告)号: | CN113359022A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 顾汉玉;徐刚;蔡毅 | 申请(专利权)人: | 深圳群芯微电子有限责任公司 |
主分类号: | G01R31/327 | 分类号: | G01R31/327 |
代理公司: | 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙) 44439 | 代理人: | 何兵;吕诗 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区华强北街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 筛选 mos 继电器 测量方法 电路 装置 | ||
本发明公开了一种筛选光MOS继电器的测量方法、电路及装置,第一恒流源提供了光MOS继电器输入信号,此时光MOS继电器导通;第二恒流源给光MOS继电器输出端提供负载电流,在第一恒流源和第二恒流源加电流的同时,两个高输入阻抗的采集电路模块的输入端采集待测光MOS继电器第三管脚PIN3和第四管脚PIN4之间的电压,电压经过运算电路模块运算后给到比较电路模块,比较电路模块把运算后的电压和基准源进行对比,对比结果直接通过结果显示电路模块中的LED灯显示,实现光MOS继电器的筛选,既能准确可靠筛选出满足要求的光MOS继电器,也具备了使用方便、安全和低成本的优点。
技术领域
本发明涉及电路测量技术领域,特别是涉及一种筛选光MOS继电器的测量方法、电路及装置。
背景技术
光MOS继电器是一种无触点电子开关,它利用场效应管(MOSFET)的开关特性,可达到无触点、无火花地接通和断开电路的目的。在其输入端加上直流或脉冲信号,输出端就能通过光敏二极管接收光线,并控制输出场效应管(MOSFET)导通或截止,从而实现小功率输入无触点地控制大功率负载的开关功能。相对于电磁继电器,光耦MOS继电器由于没有触点引起的磨损,使用寿命长而被广泛应用于通讯机械、工业器械、医疗器械、测量仪器、家电、安全系统、办公自动化和监测系统等诸多领域。
经过大量调研和实验发现,部分光MOS继电器的导通电阻很小(如33毫欧),普通手段难以准确测量;同时批量生产不可避免会有离散型(30-70毫欧)。实际使用中由于电路设计要求,需要挑选满足要求的光MOS继电器通常会使用ATE设备进行挑选,但ATE设备体积庞大,而且非常贵昂贵,同时需要编程控制,要求测试人员熟悉C/C++编程语言。
发明内容
针对上述现有技术存在的缺陷,本发明的目的在于提供一种筛选光MOS继电器的测量方法、电路及装置,既能准确可靠筛选出满足要求的光MOS继电器,也具备了使用方便、安全和低成本的优点。
为实现上述目的,本发明第一实施例提供了一种筛选光MOS继电器的测量方法,包括:两个恒流源分别与待测MOS继电器的输入端和输出端连接;具有采集功能的电路分别采集所述待测光MOS继电器的输出端电压;具有运算功能的电路将采集的两个电压输入进行运算;具有比较功能的电路将运算后的电压和基准源的电压进行对比;具有显示功能的电路将对比后的输出的电压进行显示达到筛选目的。
优选地,在所述两个恒流源分别与待测MOS继电器的输入端和输出端连接,包括:第一恒流源与待测光MOS继电器输入端的两个管脚连接,第二恒流源与待测光MOS继电器输出端的两个管脚连接;
其中,所述第一恒流源给待测光MOS继电器提供输入信号为直流或脉冲电流中任一种;所述第二恒流源给待测光MOS继电器输出端提供负载电流,且所述第二恒流源的恒流范围大于5A。
基于相同的技术构思,本发明还提供一种筛选光MOS继电器的测量电路,包括:电源模块、两个电源模块分别与待测MOS继电器的输入端和输出端连接;采集电路模块、用于采集所述待测光MOS继电器的输出端的电压;运算电路模块、用于将采集的电压输入至运算电路模块进行运算;比较电路模块、用于将运算后的电压输入至比较电路模块和基准源进行对比;结果显示电路模块、用于将对比后的电压输入至结果显示电路模块进行显示达到筛选目的。
优选地,所述电源模块包括第一恒流源和第二恒流源,所述第一恒流源与待测光MOS继电器输入端的两个管脚连接,第二恒流源与待测光MOS继电器输出端的两个管脚连接。
优选地,所述采集电路模块包括至少两个采集电路单元,两个所述采集电路单元分别与待测光MOS继电器输出端的两个管脚连接;其中,两个采集电路单元包括第四集成运放和第五集成运放,第四集成运放的同相输入端与待测光MOS继电器输出端的第四管脚连接,第五集成运放的同相输入端与待测光MOS继电器输出端的第三管脚连接,第四集成运放反相输入端与其自身的输出端连接,第五集成运放反相输入端与其自身的输出端连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳群芯微电子有限责任公司,未经深圳群芯微电子有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110743261.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。