[发明专利]一种硫化铋单晶/碳纳米线复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种硫化铋单晶/碳纳米线复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将聚合物和过量铋盐充分溶解于溶剂A中，得到过饱和纺丝前驱体，然后进行静电纺丝，得到铋盐/聚合物纳米线复合材料；

S2、将步骤S1中得到的铋盐/聚合物纳米线复合材料进行多步煅烧，得到铋/碳纳米线复合材料；

S3、将步骤S2中得到的铋/碳纳米线复合材料在氧气氛下氧化，得到三氧化二铋/碳纳米线复合材料；

S4、将步骤S3中得到的三氧化二铋/碳纳米线复合材料在真空下硫化，所述硫化采用的硫化剂为硫粉、硫脲和二硫化二甲基中的一种或多种，所述硫化的温度为400℃-550℃，升温速率为0.5℃/min-5℃/min，经溶剂B清洗后得到硫化铋单晶/碳纳米线复合材料。

2.根据权利要求1所述的硫化铋单晶/碳纳米线复合材料的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述聚合物为聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇和聚丙烯腈中的一种或多种，所述铋盐为硝酸铋、氯化铋和乙酸铋中的一种或多种，所述溶剂A为N,N-二甲基甲酰胺或水。

3.根据权利要求1所述的硫化铋单晶/碳纳米线复合材料的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述聚合物、溶剂A和铋盐的质量比为(0.8-1.2):(5-12):(1.0-1.5)。

4.根据权利要求1所述的硫化铋单晶/碳纳米线复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述多步煅烧具体包括：第一步，在280℃-350℃温度下煅烧1h-3h；第二步，在450℃-650℃温度下煅烧6h-8h；第三步，在750℃-850℃温度下煅烧2h-4h。

5.根据权利要求1所述的硫化铋单晶/碳纳米线复合材料的制备方法，其特征在于：步骤S3中，所述氧化的氧气流量为5mL/min-25mL/min。

6.根据权利要求1所述的硫化铋单晶/碳纳米线复合材料的制备方法，其特征在于：步骤S3中，所述氧化的温度为260℃-450℃，升温速率为2℃/min-10℃/min。

7.根据权利要求1所述的硫化铋单晶/碳纳米线复合材料的制备方法，其特征在于：步骤S4中，所述溶剂B为二硫化碳、四氯化碳、四氢呋喃或水。