[发明专利]灯膜及其制备方法、电子设备有效
申请号: | 202110745167.0 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113464871B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 张礼冠;许建勇 | 申请(专利权)人: | 江西新菲新材料有限公司 |
主分类号: | F21S8/00 | 分类号: | F21S8/00;F21V29/51;F21V29/89;F21Y115/10 |
代理公司: | 广州德科知识产权代理有限公司 44381 | 代理人: | 林玉旋;万振雄 |
地址: | 330029 江西省南昌市赣江新区直管*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制备 方法 电子设备 | ||
1.一种灯膜,其特征在于,包括第一盖板、第二盖板及多个光源,其中:
所述第一盖板包括第一绝缘层及固定于所述第一绝缘层一侧表面的铜层,所述铜层包括多个铜块,至少两个所述铜块与一所述光源相固定设置且电连接;
所述第二盖板设置于所述第一绝缘层远离所述铜层的一侧表面,包括铜板及设置于所述铜板一侧表面的第二绝缘层,所述第二绝缘层与所述第一绝缘层接合,所述第二绝缘层包括多个毛细模块,相邻两个所述毛细模块之间形成沟槽,所述毛细模块具有毛细结构及填充在所述毛细结构的液体,所述第二绝缘层和所述第一绝缘层固定连接,且在所述毛细模块处形成液道,在所述沟槽处形成气道;
所述铜块嵌设在所述第一绝缘层内,所述铜块靠近所述沟槽的一端至少凸出于所述第一绝缘层,且凸出所述第一绝缘层的高度小于所述沟槽的深度,所述铜块的远离所述沟槽的一端与所述第一绝缘层远离所述第二绝缘层的端面平齐或凸出所述端面。
2.根据权利要求1所述的灯膜,其特征在于,所述铜板具有相互垂直的第一方向和第二方向,所述毛细模块为沿所述第一方向延伸的条状结构,多个所述毛细模块沿着所述第二方向排布在所述铜板上。
3.根据权利要求1所述的灯膜,其特征在于,所述铜层还包括与所述铜块电连接的铜线路,所述铜线路设置在所述第一绝缘层背离所述第二绝缘层的表面上。
4.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1-3任一项所述的灯膜。
5.一种如权利要求1-3任一项所述的灯膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一膜层并图案化形成第一绝缘层,在第一绝缘层上形成铜块;
在铜板上沉积第二膜层,并图案化所述第二膜层形成第二绝缘层;
在第二绝缘层的毛细结构中填充液体;
盖合第二绝缘层和第一绝缘层,并在铜块上电连接光源。
6.根据权利要求5所述的灯膜的制备方法,其特征在于,步骤“提供第一膜层并图案化形成第一绝缘层,在第一绝缘层上设置铜块”,具体包括:
在铜片上沉积第三膜层,并图案化所述第三膜层;
蚀刻所述铜片,并去除所述第三膜层形成多个所述铜块;
将所述铜块压合在所述第一膜层上,并图案化所述第一膜层形成所述第一绝缘层。
7.根据权利要求5所述的灯膜的制备方法,其特征在于,步骤“提供第一膜层并图案化形成第一绝缘层,在第一绝缘层上设置铜块”,具体包括:
在承载膜上压合过渡干膜,并图案化所述过渡干膜;
在所述过渡干膜上沉积第一膜层,并图案化形成第一绝缘层及通槽,所述通槽贯穿所述第一膜层和所述过渡干膜,且延伸至所述承载膜靠近所述过渡干膜的表面;
在所述通槽内形成所述铜块,并去除所述承载膜和所述过渡干膜。
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