[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

第一电极，设于半导体层叠构造；

第二电极，设于安装衬底；以及

接合金属层，将上述第一电极和上述第二电极进行接合；

在上述接合金属层的内部存在间隙，

上述接合金属层具有：

第一层，与上述第一电极相接，具有第一平均晶粒径；

第二层，位于上述第一电极的相反侧，具有第二平均晶粒径；以及

第三层，位于上述第二层与上述安装衬底之间，具有第三平均晶粒径，

上述第一平均晶粒径及上述第三平均晶粒径比上述第二平均晶粒径大，

上述间隙存在于上述第二层并且不存在于上述第一层和上述第三层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在将上述接合金属层进行平面观察时，上述间隙是线状，并且沿着上述第一电极的外周边。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述间隙平行于上述第一电极的外周边。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述间隙以一定间隔存在多个列。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述间隙由多个空隙构成。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述外周边在与极性不同于上述第一电极的电极相对置的部分具有向内侧凸的圆弧状的曲线部；

上述间隙沿着上述曲线部。

7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一电极具有p侧电极和n侧电极；

在平面视图中，对于上述间隙所占的面积的比例而言，距上述p侧电极和上述n侧电极相对置的p－n电极对置部较近的区域小于距上述p－n电极对置部较远的区域。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

距上述p－n电极对置部较近的区域是距上述p－n电极对置部的距离为100μm以下的区域。

9.如权利要求1～3、6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一电极具有p侧电极和n侧电极；

上述间隙仅存在于上述p侧电极。

10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

在将上述接合金属层进行平面观察时，上述间隙从上述p侧电极的一边的中央部朝向相反侧的一边或者从中心部朝向全方位呈放射状。

11.如权利要求1～3、6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述间隙的高度是上述接合金属层的高度的10％以上。

12.如权利要求1～3、6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在上述间隙的至少一部分中填充有树脂。

13.如权利要求1～3、6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述间隙仅存在于上述第二层。

14.如权利要求1～3、6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在与上述安装衬底垂直的方向上，上述第一层的上述安装衬底侧的位置与上述间隙的上述安装衬底侧的相反侧的面的位置一致。

15.如权利要求1～3、6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在上述接合金属层中，在与上述第一电极的上述安装衬底侧的面平行的方向上，上述第一层的晶粒的形状比上述第二层的晶粒的形状扩展。