[发明专利]一种红外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种红外探测器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

在基底上制备底电极；

在所述底电极上制备吸收层；

在所述吸收层上制备缓冲层，具体包括：将分散于有机溶液中的量子点溶液，滴在所述吸收层上，并进行旋涂后加热至100-150摄氏度退火2-3min，得到所述缓冲层；及

在所述缓冲层上制备窗口层；其中：

在所述底电极上制备吸收层包括：将带有基底的底电极送入MBE真空镀膜腔体中，控制真空度为2x10^-5-5x10^-5 Pa，采用五源同时蒸镀的方法，用Cu，Zn，Cd，Sn，Se作为靶材，使用一步法生长前驱体，作为所述吸收层；

在所述吸收层上制备缓冲层还包括：所述有机溶液包括正己烷、辛烷；所述量子点溶液包括ZnSe或ZnS。

2.如权利要求1所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述基底为钠钙玻璃或Si片。

3.如权利要求1所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述底电极为钼电极或金或钛或不锈钢或ITO。

4.如权利要求3所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，在基底上制备底电极的步骤中，具体包括：

将所述基底放入真空钼腔室中，通入Ar气控制腔内气压在1.0-3.0Pa，300-350W功率直流溅射8-10圈，再在0.3-0.5Pa的气压下用800-1000W的功率溅射4-6圈，关闭Ar气，冷却5-10min后取出，得到Mo衬底作为底电极。

5.如权利要求1所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，在所述缓冲层上制备窗口层的步骤中，具体包括下述步骤：

将上述步骤得到的样品送入i-ZnO和AZO腔室中，通入Ar及O₂在100-150W功率下对i-ZnO起辉，接着在100-150W进行溅射4-6圈，450-550W溅射35-40圈，再通入Ar和H₂，在400-500w下对AZO靶进行起辉后，在700-800W下进行溅射15-20圈，得到300-400nm的窗口层。

6.如权利要求5所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述窗口层由两部分组成，即本征氧化锌和掺铝氧化锌。

7.一种红外探测器，其特征在于，由权利要求1至6任一项所述的红外探测器的制备方法制备得到。