[发明专利]一种适用于IGBT抵消应力的方法

权利要求书

1.一种适用于IGBT抵消应力的方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、沟槽(300)蚀刻、通过干法蚀刻工艺，对晶圆(100)正面进行沟槽(300)和划片槽的制作，通过划片槽将晶圆(100)分割为各晶片(200)区域，使得属于同一晶片(200)内的沟槽(300)方向与相邻的晶片(200)的沟槽(300)方向相互垂直；

S2、多晶硅填充过程中应力的抵消、通过沟道栅极聚乙烯淀积工艺在淀积温度为600℃的工作环境下将多晶硅填充入沟槽(300)内部，形成的是无定型硅,然后将无定型硅在大于600℃的温度下进行热处理工艺使得无定型硅再结晶，通过相互垂直的沟槽(300)设置和各工艺控制抵消多晶硅填充中产生的张应力；

S3、研磨减薄工艺中背面应力的抵消、利用正性光刻胶将晶圆(100)正面覆盖进行加固，并对晶圆(100)底部进行研磨，当研磨完成后，利用光刻机对正性光刻胶进行曝光处理，并保留划片槽表面的正性光刻胶，以方便后续工艺操作。

2.根据权利要求1所述的一种适用于IGBT抵消应力的方法，其特征在于：所述晶圆(100)材质为区熔型晶圆。

3.根据权利要求1所述的一种适用于IGBT抵消应力的方法，其特征在于：所述S3中，所述热处理工艺为RTA快速退火工艺。