[发明专利]三维存储器设备的局部触点及用于形成其的方法

权利要求书

1.一种用于形成三维(3D)存储器设备的方法，包括：

形成垂直地延伸穿过电介质堆叠的沟道结构，所述电介质堆叠包括在衬底之上的交错的牺牲层和电介质层；

形成在所述沟道结构之上并与所述沟道结构接触的牺牲插塞；

形成垂直地延伸穿过所述电介质堆叠的狭缝开口；

通过穿过所述狭缝开口用导电层代替所述牺牲层来形成包括交错的所述导电层和所述电介质层的存储器堆叠；

在所述狭缝开口中形成第一接触部分，包括：在所述狭缝开口的侧壁之上形成隔板，所述隔板包括在所述导电层中形成的一个或多个回蚀凹部，将第一接触材料沉积在所述狭缝开口中的所述隔板之上；

在形成所述第一接触部分之后移除所述牺牲插塞，以暴露所述沟道结构；以及

同时形成(i)在所述沟道结构之上并与所述沟道结构接触的沟道局部触点和(ii)在所述狭缝开口中的所述第一接触部分之上的第二接触部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟道结构包括：

蚀刻垂直地延伸穿过所述电介质堆叠的沟道孔；

随后在所述沟道孔的侧壁之上形成存储器膜和半导体沟道；以及

形成在所述半导体沟道之上并与所述半导体沟道接触的沟道插塞。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述牺牲插塞包括：

在所述电介质堆叠之上形成局部电介质层；

穿过所述局部电介质层蚀刻局部接触孔以暴露所述沟道结构；以及

将不同于所述沟道插塞的材料的牺牲材料沉积到所述局部接触孔内。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述牺牲材料包括氮化硅。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，形成所述狭缝开口包括：

蚀刻垂直地延伸穿过所述局部电介质层和所述电介质堆叠的所述狭缝开口；以及

放大所述狭缝开口的顶部部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述狭缝开口中形成所述第一接触部分还包括：

回蚀在所述狭缝开口中的所述第一接触材料，使得所述第一接触部分的上端在所述狭缝开口的所述顶部部分之下。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一接触材料包括多晶硅。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，同时形成所述沟道局部触点和所述第二接触部分包括：

将第二接触材料同时沉积到所述局部接触孔和所述狭缝开口内；以及

使所沉积的第二接触材料平面化，使得所述沟道局部触点的上端与狭缝结构的所述第二接触部分的上端齐平。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二接触材料包括钨。

10.一种三维(3D)存储器设备，包括：

衬底；

存储器堆叠，其包括在所述衬底之上的交错的导电层和电介质层；

沟道结构，其垂直地延伸穿过所述存储器堆叠；

沟道局部触点，其在所述沟道结构之上并与所述沟道结构接触；以及

狭缝结构，其垂直地延伸穿过所述存储器堆叠，所述狭缝结构是在形成在所述沟道结构之上并与所述沟道结构接触的牺牲插塞之后形成的，

其中，所述狭缝结构包括隔板和触点，所述隔板包括在所述导电层中形成的一个或多个回蚀凹部，所述触点包括在所述狭缝结构的底部部分中以及所述隔板上形成的第一接触部分和在所述第一接触部分之上形成的具有所述第一接触部分的不同材料的第二接触部分，其中，所述牺牲插塞是在形成所述第一接触部分之后被移除的，所述狭缝结构的所述第二接触部分和所述沟道局部触点包括相同的导电材料且为同时形成的。

11.根据权利要求10所述的三维存储器设备，其中，所述狭缝结构的所述第一接触部分包括多晶硅，以及所述狭缝结构的所述第二接触部分和所述沟道局部触点包括相同的金属。