[发明专利]一种选择性钝化接触结构电池及其制备方法

权利要求书

1.一种选择性钝化接触结构电池，其特征在于：包括N型硅基体(1)，构成所述N型硅基体(1)的硅片的反射率为10.5％-11.5％，所述硅片在硼扩散过程中引入了二氯乙烯，所述N型硅基体(1)的上下表面设置有电极(2)，所述N型硅基体(1)正面覆盖有AlOx钝化层或SiNx减反层(3)，在所述N型硅基体(1)的背面制备隧穿氧化层(4)及n+poly层(5)，在所述N型硅基体(1)与电极(2)接触区域为重掺杂的n++poly层(6)，非电极接触区域为轻掺杂的n+poly层(5)；所述N型硅基体(1)背面印刷有磷浆栅线(8)，所述重掺杂的n++poly层(6)经磷扩散形成，所述隧穿氧化层(4)及n+poly层(5)上具有供所述磷浆栅线(8)穿过的开槽，所述选择性钝化接触结构电池具有向外暴露电池片背面的定位图形，所述定位图形包括所述开槽或开设于所述隧穿氧化层(4)上的对位孔。

2.根据权利要求1所述的一种选择性钝化接触结构电池，其特征在于：所述N型硅基体(1)正面上设置有发射极(7)。

3.根据权利要求1所述的一种选择性钝化接触结构电池，其特征在于：所述隧穿氧化层(4)的厚度设置为0.5-3nm,所述n+poly层(5)的厚度设置为30-200nm。

4.根据权利要求1所述的一种选择性钝化接触结构电池，其特征在于：所述电极(2)为含银、含铜或含铝中的一种或多种组合。

5.根据权利要求1所述的一种选择性钝化接触结构电池，其特征在于：所述隧穿氧化层(4)为二氧化硅层。

6.一种选择性钝化接触结构电池制备方法，其特征在于：其制备方法包括以下步骤：

将电池片进行制绒和硼扩散，在制绒过程中，将硅片反射率设为10.5％-11.5％，在硼扩散过程中，将硼源进气口距离太阳能电池片的距离增大至设定范围，在BBr₃液态源高温扩散过程中引入二氯乙烯；

电池片背面制备隧穿氧化层(4)及n+poly层(5)；

电池片背面设置磷浆栅线(8)，所述磷浆栅线(8)区域与后续金属化区域位置对应；

在所述隧穿氧化层(4)及n+poly层(5)上形成供所述磷浆栅线(8)穿过的开槽，在所述选择性钝化接触结构电池上设置向外暴露电池片背面的定位图形，所述定位图形包括所述开槽或开设于所述隧穿氧化层(4)上的对位孔；

电池片进行磷扩散，所述磷浆栅线(8)区域扩散形成局域重掺杂的n++poly层(6)；

电池片表面清洗；

电池片正面沉积AlOx钝化层或SiNx减反层(3)，电池片背面沉积SiNx减反层；

电池片双面金属化，烧结，电池片背面金属化区域与磷浆栅线(8)区域对应。

7.根据权利要求6所述的一种选择性钝化接触结构电池制备方法，其特征在于：所述电池片选用N型硅基体(1)。

8.根据权利要求6所述的一种选择性钝化接触结构电池制备方法，其特征在于：在制备所述隧穿氧化层(4)及n+poly层(5)前，将电池片进行制绒、硼扩散和清洗处理。

9.根据权利要求6所述的一种选择性钝化接触结构电池制备方法，其特征在于：所述磷浆栅线(8)宽度为40-100um，宽于电极(2)宽度。

10.根据权利要求6所述的一种选择性钝化接触结构电池制备方法，其特征在于：所述电池片在管式炉中进行磷扩散，所述管式炉中采用N₂/O₂氛围，温度设置为800-900℃，扩散时间为20-80min。

11.根据权利要求6所述的一种选择性钝化接触结构电池制备方法，其特征在于：所述电池片表面清洗去除磷硅玻璃及残留浆料。