[发明专利]优化电路设计的方法和装置

权利要求书

1.一种用于优化电路设计的方法，其特征在于，所述方法至少包括：将至少两种效应下的漏源退化电流对于实际电路时钟信号延迟的影响纳入考虑。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

计算第一效应下的第一漏源退化电流I_ds1；

计算第二效应下的第二漏源退化电流I_ds2；

计算总漏源退化电流I_total，由所述第一漏源退化电流I_ds1和所述第二漏源退化电流I_ds2根据如下公式来计算总漏源退化电流I_total：

I_total＝A×(I_ds1+I_ds2)/exp(I_ds1+I_ds2)

其中A值的范围在0至1之间；

用所述总漏源退化电流I_total进行仿真。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述A值为0.37。

4.根据权利要求2-3中的任一项所述的方法，其特征在于，

所述第一漏源退化电流I_ds1是负偏压不稳定性NBTI效应下的漏源退化电流；以及

所述第二漏源退化电流I_ds2是热载流子注入HCI效应下的漏源退化电流。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一漏源退化电流I_ds1是通过如下公式得出的：

其中，C_ox是单位面积氧化层电容，C_ox＝q/(E_ox×d)，其中d是电容极板距离，q是电子电荷量，E_ox是栅氧电场；V_g是晶体管的外加电压；W是沟道宽度；V_ds是漏源电压；R_ds是漏源电阻；L是沟道长度；阈值电压V_th＝V_th0+△V_th，其中V_th0是初始阈值电压，△V_th是阈值电压漂移；迁移率μ_eff＝μ_eff0+△μ_eff，其中μ_eff0是初始迁移率，△μ_eff是迁移率漂移；

其中，

其中，ΔN_it是增加的界面陷阱浓度；ΔN_ox是增加的氧化层陷阱浓度；μ₀是本征迁移率；θ是跟晶体管相关的比例常数。

6.一种用于优化电路设计的装置，其特征在于，所述装置至少包括：

用于将至少两种效应下的漏源退化电流对于实际电路时钟信号延迟的影响纳入考虑的装置。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置包括：

用于计算第一效应下的第一漏源退化电流I_ds1的装置；

用于计算第二效应下的第二漏源退化电流I_ds2的装置；

用于计算总漏源退化电流I_total的装置，由所述第一漏源退化电流I_ds1和所述第二漏源退化电流I_ds2根据如下公式来计算总漏源退化电流I_total：

I_total＝A×(I_ds1+I_ds2)/exp(I_ds1+I_ds2)

其中A值的范围在0至1之间；

用于用所述总漏源退化电流I_total进行仿真的装置。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述A值为0.37。