[发明专利]一种极性可调的晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110753624.0 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113488535A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 肖静;李红卫 | 申请（专利权）人： | 泰山学院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州专才专利代理事务所(普通合伙) 44679 | 代理人： | 林玲 |
| 地址： | 271000*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 极性 可调 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种极性可调的晶体管，其特征在于，包括源极、漏极、栅极、介电层和n型二维半导体层，所述介电层设于栅极上，所述n型二维半导体层设于介电层上，所述源极及漏极均设于二维半导体层上，且所述源极和漏极通过n型二维半导体层连接；
所述n型二维半导体层上还设有超薄p型有机层，所述超薄p型有机层设于源极与漏极之间。
2.如权利要求1所述的极性可调的晶体管，其特征在于，所述超薄p型有机层为超薄p型噻吩类衍生物。
3.如权利要求2所述的极性可调的晶体管，其特征在于，所述超薄p型有机层为DNTT或者C8-BTBT。
4.如权利要求1所述的极性可调的晶体管，其特征在于，所述n型二维半导体层为二维WSe2半导体层，所述二维WSe2半导体层的厚度为5～20nm。
5.如权利要求1所述的极性可调的晶体管，其特征在于，所述源极和漏极均为Au/Cr电极，所述Au/Cr电极中Au的厚度为90nm，所述Au/Cr电极中Cr的厚度为5nm。
6.如权利要求1所述的极性可调的晶体管，其特征在于，所述栅极的材质为硅，所述介电层的材质为氧化硅。
7.一种极性可调的晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备晶体管：提供SiO2/Si衬底并在SiO2/Si衬底上设置n型二维半导体层，再在n型二维半导体层上沉积源极和漏极，得到晶体管；
沉积超薄p型有机层：通过真空气相沉积法或溶液法在晶体管的n型二维半导体层上沉积超薄p型有机层，所述超薄p型有机层沉积于源极与漏极之间，得到极性可调的晶体管。
8.如权利要求7所述的极性可调的晶体管的制备方法，其特征在于，所述n型二维半导体层为二维WSe2半导体层，所述二维WSe2半导体层采用真空气相沉积法或溶液法制备。
9.如权利要求8所述的极性可调的晶体管的制备方法，其特征在于，在所述真空气相沉积法中，沉积速率为在溶液法中，溶液的浓度为0.5～1.5mg/ml。
10.如权利要求7所述的极性可调的晶体管的制备方法，其特征在于，所述源极和漏极均为Au/Cr电极，所述Au/Cr电极中Au的厚度为90nm，所述Au/Cr电极中Cr的厚度为5nm；
所述Au/Cr电极采用电子束刻蚀技术和真空蒸镀技术联合制备，其中蒸发速率为
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