[发明专利]一种掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用

权利要求书

1.一种掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)关于ATMP-K混合溶液的制备；

(2)掺杂ATMP-K的SnO₂前驱体溶液的制备；

(3)在透明导电氧化物上制备掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层。

2.如权利要求1所述的一种以掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述ATMP-K混合溶液采用ATMP水溶液和浓度为0.001-0.025mg/ml的KOH溶液按照50-700μl:500-1000μl的比例混合而成；步骤(2)所述掺杂ATMP-K的SnO₂前驱体溶液的制备如下：采用SnO₂溶液和去离子水按照250μl:750μl的比例混合制备成SnO₂前驱体溶液，再用步骤(1)中制备的ATMP-K混合溶液与所述SnO₂前驱体溶液按照20μl:1000μl的比例混合而成。

3.如权利要求2所述的一种以掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层采用旋涂法在导电玻璃上制备而成，转速为3000-4000转每分钟，时间为30-40s，退火处理温度为150-180℃，退火时间为20-30分钟。

4.权利要求1-3任一项所述方法制备的以掺杂ATMP-K的氧化锡电子传输层在钙钛矿太阳电池中的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池为n-i-p基本结构。

5.如权利要求4所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的结构依次包括：透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、空穴传输层和电极。

6.如权利要求5所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的透明导电衬底为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃。

7.如权利要求5所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的钙钛矿吸光层为厚度500-800nm的钙钛矿薄膜。

8.如权利要求5所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的钝化层为PEAI、MABr或GuaBr中的任何一种。

9.如权利要求5所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的空穴传输层材料为Spiro-OMeTAD、PTAA、NiOx或MoOx中的一种或多种。

10.如权利要求5所述的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的电极为通过真空蒸发的方法沉积80-120nm厚的金电极。