[发明专利]接口电路和接口设备

权利要求书

1.一种接口电路，包括：

第一开关元件，连接到第一电源节点和输出节点并通过第一输入信号控制，所述第一电源节点提供第一电源电压，所述输出节点发送输出信号；

第二开关元件，连接到第二电源节点和所述输出节点并且通过不同于所述第一输入信号的第二输入信号控制，所述第二电源节点提供低于所述第一电源电压的第二电源电压；

第一电阻器，连接在所述第一电源节点与所述第一开关元件之间；

第二电阻器，连接在所述第二电源节点与所述第二开关元件之间；

第一电容器，连接在所述第一电阻器与所述第一开关元件之间，并通过第一控制信号进行充电和放电；

第二电容器，连接在所述第二电阻器与所述第二开关元件之间，并通过第二控制信号进行充电和放电；以及

缓冲器电路，被配置为输出所述第一控制信号和所述第二控制信号，并且通过第一可变电阻器连接到第三电源节点并通过第二可变电阻器连接到第四电源节点，所述第三电源节点提供第三电源电压，所述第四电源节点提供低于所述第三电源电压的第四电源电压。

2.根据权利要求1所述的接口电路，其中，所述第一输入信号的相位与所述第二输入信号的相位相反。

3.根据权利要求2所述的接口电路，其中，所述第一输入信号和所述第一控制信号具有相同的相位。

4.根据权利要求3所述的接口电路，其中，所述第一控制信号和所述第二控制信号是相同的信号。

5.根据权利要求2所述的接口电路，其中，所述第一开关元件和所述第二开关元件中的每一个是N沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的接口电路，其中，所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器中的每一个包括彼此并联连接的多个晶体管。

7.根据权利要求6所述的接口电路，其中，所述多个晶体管中的至少一些晶体管通过单个栅极信号同时被关断。

8.根据权利要求1所述的接口电路，其中，所述第一输入信号和所述第二输入信号是相同的信号，并且

所述第一开关元件是P沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管，并且所述第二开关元件是NMOS晶体管。

9.根据权利要求8所述的接口电路，其中，所述缓冲器电路包括第一缓冲器和第二缓冲器，所述第一缓冲器被配置为输出所述第一控制信号，并且所述第二缓冲器被配置为输出所述第二控制信号。

10.根据权利要求9所述的接口电路，其中，所述第一控制信号的相位与所述第一输入信号的相位相同，并且所述第二控制信号的相位与所述第一输入信号的相位相反。

11.根据权利要求1所述的接口电路，其中，所述输出信号的幅度具有第一电平、高于所述第一电平的第二电平、以及高于所述第二电平的第三电平。

12.根据权利要求11所述的接口电路，其中，当所述输出信号的幅度从所述第一电平增大到所述第二电平时，所述第一电容器被充电，当所述输出信号的幅度从所述第二电平增大到所述第三电平时，所述第二电容器被充电，并且当所述输出信号的幅度从所述第一电平增大到所述第三电平时，所述第一电容器和所述第二电容器同时被充电。

13.根据权利要求11所述的接口电路，其中，当所述输出信号的幅度从所述第二电平减小到所述第一电平时，所述第一电容器被放电，当所述输出信号的幅度从所述第三电平减小到所述第二电平时，所述第二电容器被放电，并且当所述输出信号的幅度从所述第三电平减小到所述第一电平时，所述第一电容器和所述第二电容器同时被放电。

14.根据权利要求1所述的接口电路，其中，所述输出信号的幅度具有第一电平和高于所述第一电平的第二电平。