[发明专利]射频开关电路、通信单元及其方法在审

专利信息
申请号: 202110754313.6 申请日: 2021-07-02
公开(公告)号: CN113922804A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 阳昕;马克·皮特·范德海登;约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特;贾斯珀·皮尔 申请(专利权)人: 恩智浦有限公司
主分类号: H03K17/74 分类号: H03K17/74
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙尚白
地址: 荷兰埃因霍温高科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 射频 开关电路 通信 单元 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种射频RF开关电路(201、301、401、501、601、701、751、801),其特征在于,包括:

至少一个第一PiN二极管装置(252、352、452、552、652、752、852、945),被配置成吸收或供应第一交流电;

阻抗变换电路(222、322、422、522、622、722、822、922),连接到所述至少一个第一PiN二极管装置且被布置成在所述阻抗变换电路的第一侧与所述阻抗变换电路的第二侧之间提供已变换阻抗;

第二基于二极管的装置(254、354、454、554、654、754、854、945),被配置成供应或吸收第二交流电;以及

偏置电路(330、430、530、630、830、930),连接到所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置中的至少一个,其中所述至少一个第一PiN二极管装置与所述第二基于二极管的装置协作而作为推挽式电流电路。

2.根据权利要求1所述的RF开关电路(201、301、401、501、601、701、751、801),其特征在于,所述第二基于二极管的装置是第二PiN二极管。

3.根据权利要求1或2所述的RF开关电路(201、301、401、501、601、701、751、801),其特征在于,当所述RF开关电路(201)被配置成在第一接收操作模式下操作时所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置是正向偏置且‘接通’的,并且其中在第二传输操作模式下所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置是反向偏置且关断的。

4.根据权利要求3所述的RF开关电路(201、301、401、501、601、701、751、801),其特征在于,所述RF开关电路(201、301、401、501、601、701、751、801)包括被激活以在所述第一接收操作模式下操作所述RF开关电路的分路开关,并且包括被激活以在所述第二传输操作模式下操作所述RF开关电路的串联开关。

5.根据权利要求3或4所述的RF开关电路(201、301、401、501、601、701、751、801),其特征在于,所述阻抗变换电路位于接收端口与传输端口之间,并且所述阻抗变换电路包括以下各者中的一个:(i)四分之一波传输线,(ii)由第一集总交流去耦电容器C与串联电感器L与第二交流去耦电容器C组成的电路。

6.根据在前的权利要求3至5中的任一项所述的RF开关电路(201、301、401、501、601、701、751、801),其特征在于,所述RF开关电路(201、301、401、501、601、701、751、801)耦合到传输路径中的预功率放大器电路(722),并且正向偏置所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置会重复使用流过所述预功率放大器电路(722)的电流。

7.根据在前的任一项权利要求所述的RF开关电路(201、301),其特征在于,所述偏置电路包括具有闭环运算放大器(331)的电压调节器,所述闭环运算放大器(331)具有接收基准电压(Vbias 334)的输入和向所述至少一个第一PiN二极管装置(352)提供直流偏置电流的输出,使得当所述至少一个第一PiN二极管装置(352)的偏置电流的直流分量增加时,施加到所述至少一个第一PiN二极管装置(352)的偏置电压保持恒定。

8.根据权利要求7所述的RF开关电路(201、401),其特征在于,所述偏置电路另外包括作为位于所述运算放大器(431)与所述至少一个第一PiN二极管装置(452)的正结之间的缓冲放大器的射极跟随器(432),且被配置成向所述至少一个第一PiN二极管装置(452)的正结提供稳定的偏置电压。

9.一种通信单元(200、900),其特征在于,包括根据在前的任一项权利要求所述的RF开关(201)。

10.一种切换射频RF信号的方法(1000),其特征在于,所述方法包括:

将至少一个第一PiN二极管装置连接(1002)到第二基于二极管的装置以用作推挽式电流电路;以及

向所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置中的至少一个施加(1006)偏置电流,其中所施加的偏置电流配置所述至少一个第一PiN二极管装置与所述第二基于二极管的装置协作以吸收交流电或供应交流电;并且

改变所述偏置电流(1008)以从以下各项中的一项切换所述RF信号:

所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置,从使得正RF电流能够穿过所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置中的一个且使得负电流能够穿过所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置中的另一个的正向偏置的切换为阻挡RF信号传递通过所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置的反向偏置的;或

从阻挡RF信号传递通过所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置的反向偏置的切换为使得正RF电流能够穿过所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置中的一个且使得负电流能够穿过所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置中的另一个的正向偏置的。

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