[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

第1导电型的半导体基板，其具有第1主面和与所述第1主面相反侧的第2主面，在该半导体基板沿着面内方向而设置有IGBT区域、二极管区域、所述IGBT区域以及所述二极管区域之间的边界区域；

发射极电极，其设置于所述半导体基板的所述第1主面之上；以及

集电极电极，其设置于所述半导体基板的所述第2主面之上，

所述半导体基板包含：

第2导电型的第1阳极层以及第2导电型的第1接触层，它们设置于所述二极管区域的所述第1主面侧，该第1接触层与所述第1阳极层相比第2导电型的杂质浓度高；

第1导电型的阴极层，其设置于所述二极管区域的所述第2主面侧；

第2导电型的第1载流子排出层，其在所述面内方向上与所述阴极层相邻地设置于所述二极管区域的所述第2主面侧；

第2导电型的第2阳极层以及第2导电型的第2接触层，它们设置于所述边界区域的所述第1主面侧，该第2接触层与所述第2阳极层相比第2导电型的杂质浓度高；以及

第2导电型的集电极层，其设置于所述边界区域的所述第2主面侧，

所述第2阳极层的第2导电型的杂质浓度比所述第1阳极层的第2导电型的杂质浓度低，或者，所述边界区域处的以所述发射极电极与所述半导体基板接触的面积为基准的所述第2接触层的占有面积比例比所述二极管区域处的以所述发射极电极与所述半导体基板接触的面积为基准的所述第1接触层的占有面积比例小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1载流子排出层的最大宽度小于或等于10μm。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在俯视观察时，所述第1载流子排出层的面积大于或等于所述第1载流子排出层的面积与所述阴极层的面积之和的20％。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

俯视观察时的所述第1载流子排出层包含长边和长度小于或等于该长边的长度的1/2的短边。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述二极管区域处的以所述发射极电极与所述半导体基板接触的面积为基准的所述第1接触层的占有面积比例小于或等于0.8。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体基板还包含第1导电型的第2载流子排出层，该第2载流子排出层在所述面内方向上与所述第1阳极层以及所述第1接触层中的至少任一者相邻地设置于所述二极管区域的所述第1主面侧。