[发明专利]声表面波晶片级封装及其制造方法

权利要求书

1.一种声表面波SAW晶片级封装，包括：

基板；

叉指式换能器IDT，其形成在所述基板上；

侧壁，其沿所述IDT的外围形成在所述基板上；

盖，其形成在所述侧壁和所述IDT上方，以与所述侧壁在所述IDT上方形成中空部；

连接电极，其形成在所述基板上，与所述IDT电连接，并从所述侧壁的外围向外延伸；

连接端子，其电连接到所述连接电极的从所述侧壁的外围向外延伸的部分，形成为遍及所述侧壁的一个外表面以及所述盖的一个表面和顶表面的一部分，并且具有形成为高于所述盖的顶表面的顶表面；以及

有机可焊性防腐OSP涂层，其至少形成在所述连接端子的顶表面上。

2.根据权利要求1所述的SAW晶片级封装，其中所述OSP涂层形成在所述连接端子的顶表面和侧表面上。

3.一种制造SAW晶片级封装的方法，该方法包括：

形成基础器件，该基础器件包括：基板；IDT，其形成在所述基板上；侧壁，其沿所述IDT的外围形成在所述基板上；盖，其形成在所述侧壁和所述IDT上方，以与所述侧壁在所述IDT上方形成中空部；连接电极，其形成在所述基板上，与所述IDT电连接，并从所述侧壁的外围向外延伸；以及连接端子，其电连接到所述连接电极的从所述侧壁的外围向外延伸的部分，形成为遍及所述侧壁的一个外表面以及所述盖的一个表面和顶表面的一部分，并且具有形成为高于所述盖的顶表面的顶表面；以及

形成OSP涂层，该OSP涂层至少形成在所述连接端子的顶表面上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述形成OSP涂层包括在所述连接端子的顶表面和侧表面上形成所述OSP涂层。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述形成OSP涂层包括通过浸渍、喷涂或旋涂形成所述OSP涂层。

6.一种SAW晶片级封装，包括：

基板；

IDT，其形成在所述基板上；

侧壁，其沿所述IDT的外围形成在所述基板上；

盖，其形成在所述侧壁和所述IDT上方，以与所述侧壁在所述IDT上方形成中空部；

连接电极，其形成在所述基板上，与所述IDT电连接，并从所述侧壁的外围向外延伸；

连接端子，其电连接到所述连接电极的从所述侧壁的外围向外延伸的部分，形成为遍及所述侧壁的一个外表面以及所述盖的一个表面和顶表面一部分，并且具有形成为高于所述盖的顶表面的顶表面；

盖保护层，其形成为围绕所述连接端子的侧表面以及所述盖的顶表面和侧表面，同时至少暴露所述连接端子的顶表面；以及

OSP涂层，其至少形成在所述连接端子的顶表面上。

7.根据权利要求6所述的SAW晶片级封装，其中所述连接端子的顶表面和所述盖保护层的顶表面基本在同一平面内。

8.根据权利要求6所述的SAW晶片级封装，其中所述连接端子形成为突出到所述盖保护层的顶表面上方，并且

其中所述OSP涂层形成在所述连接端子的顶表面和其突出到所述盖保护层的顶表面上方的侧表面上。