[发明专利]栅极结构中具有两个相邻金属层的结构

权利要求书

1.一种结构，包括：

半导体鳍；

位于所述半导体鳍中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；

围绕所述第一源极/漏极区的第一掺杂区，其在所述半导体鳍中限定沟道区；

围绕所述第二源极/漏极区的第二掺杂区，其在所述半导体鳍中限定漏极扩展区；以及

位于所述沟道区和所述漏极扩展区上方的栅极结构，所述栅极结构包括：

栅极电介质层，

位于所述栅极电介质层上方的第一金属层，所述第一金属层与第二金属层相邻，其中所述第一金属层和所述第二金属层具有不同的厚度，以及

位于所述第一金属层和所述第二金属层上方的连续栅极导体。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述栅极电介质层在所述沟道区和所述漏极扩展区上方具有均匀的厚度，并且所述第一金属层比所述第二金属层薄。

3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第一金属层和所述第二金属层具有功函数不同的不同材料。

4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述第一金属层位于所述沟道区上方，并且所述第二金属层位于所述漏极扩展区上方。

5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一金属层和所述第二金属层是相同的材料。

6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一金属层和所述第二金属层具有功函数不同的不同材料。

7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一金属层位于所述沟道区上方，并且所述第二金属层位于所述漏极扩展区上方。

8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一金属层比所述第二金属层薄。

9.根据权利要求1所述的结构，其中，所述漏极扩展区上方的所述栅极电介质层比所述沟道区上方的所述栅极电介质层厚，并且所述第一金属层和所述第二金属层具有不共面的上表面。

10.根据权利要求1所述的结构，还包括位于所述半导体鳍中的所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间的沟槽隔离区。

11.一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件，包括：

位于半导体鳍中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；

位于所述半导体鳍中的所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间的沟槽隔离区；

围绕所述第一源极/漏极区的第一掺杂区，所述第一掺杂区在所述半导体鳍中限定沟道区；

围绕所述第二源极/漏极区的第二掺杂区，所述第二掺杂区在所述半导体鳍中限定漏极扩展区；以及

位于所述沟道区和所述漏极扩展区上方的栅极结构，所述栅极结构包括：

栅极电介质层，

位于所述栅极电介质层上方的第一金属层，所述第一金属层与第二金属层相邻，其中所述第一金属层和所述第二金属层具有不同的厚度，以及

位于所述第一金属层和所述第二金属层上方的连续栅极导体。

12.根据权利要求11所述的LDMOS，其中，所述栅极电介质层在所述沟道区和所述漏极扩展区上方具有均匀的厚度，并且所述第一金属层比所述第二金属层薄。

13.根据权利要求12所述的LDMOS，其中，所述第一金属层和所述第二金属层具有功函数不同的不同材料。

14.根据权利要求13所述的LDMOS，其中，所述第一金属层位于所述沟道区上方，并且所述第二金属层位于所述漏极扩展区上方。

15.根据权利要求11所述的LDMOS，其中，所述漏极扩展区上方的所述栅极电介质层比所述沟道区上方的所述栅极电介质层厚，并且所述第一金属层和所述第二金属层具有不共面的上表面。