[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

说明书

本公开是关于一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供中间半导体结构；刻蚀部分芯轴层，暴露部分多晶硅层，形成第一间隔组；沉积第一间隔层，覆盖第一间隔组和多晶硅层的暴露区域；去除第一间隔组和部分第一间隔层，暴露部分多晶硅层，形成第二间隔组；沉积第二间隔层，覆盖第二间隔组和多晶硅层的暴露区域；去除第二间隔组和部分第二间隔层，暴露部分多晶硅层，形成第三间隔组；去除部分多晶硅层和第三间隔组，形成第四间隔组，第四间隔组暴露部分氧化层。本公开中的制作方法能够有效减少加工步骤，在保证加工效果的同时，提升加工效率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

背景技术

随着半导体器件的集成度越来越高，图案的临界尺寸和距离逐渐缩小。在传统工艺中，需要设置两层芯轴并进行多次刻蚀，工艺步骤繁琐。同时，多次刻蚀工艺容易造成传递的图案之间的距离出现变动，造成图形转移质量差。

发明内容

本公开实施例提供了一种半导体结构的其制作方法及半导体结构，以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体结构的制作方法，包括：

提供中间半导体结构，所述中间半导体结构包括衬底，以及位于所述衬底上方依次层叠形成的氧化层、多晶硅层和芯轴层；

刻蚀部分所述芯轴层，暴露部分所述多晶硅层，形成第一间隔组；

沉积第一间隔层，覆盖所述第一间隔组和所述多晶硅层的暴露区域；

去除所述第一间隔组和部分所述第一间隔层，暴露部分所述多晶硅层，形成第二间隔组；

沉积第二间隔层，覆盖所述第二间隔组和所述多晶硅层的暴露区域；

去除所述第二间隔组和部分所述第二间隔层，暴露部分所述多晶硅层，形成第三间隔组；

去除部分多晶硅层和所述第三间隔组，形成第四间隔组，所述第四间隔组暴露部分所述氧化层。

在一些实施例中，在刻蚀所述芯轴层之前，所述方法还包括：

在所述芯轴层上形成图形化的光刻胶层，所述光刻胶层包括多个间隔分布的第一凹槽，所述第一凹槽暴露部分所述芯轴层。

其中，所述刻蚀部分所述芯轴层，暴露部分所述多晶硅层，形成第一间隔组，包括：

以所述光刻胶层作为掩膜层，刻蚀部分所述芯轴层，形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露所述多晶硅层的第一区域，所述芯轴层的被保留的部分形成所述第一间隔组；

其中，所述第一间隔组包括垂直于所述多晶硅层的多个间隔设置的第一间隔单元，所述第二凹槽形成于相邻的两个所述第一间隔单元之间。

在一些实施例中，在沉积所述第一间隔层之前，所述方法还包括：

去除所述掩膜层。

其中，所述沉积第一间隔层，覆盖所述第一间隔组和所述多晶硅层的暴露区域，包括：

通过物理气相沉积工艺沉积所述第一间隔层，所述第一间隔层覆盖所述第一间隔单元的顶面和侧壁面，以及所述多晶硅层的第一区域。

其中，所述去除所述第一间隔组和部分所述第一间隔层，暴露部分所述多晶硅层，形成第二间隔组，包括：

刻蚀所述第一间隔层覆盖在所述第一间隔单元的顶面的部分；

刻蚀所述第一间隔层覆盖在所述多晶硅层的第一区域的部分；

去除所述第一间隔组，所述第一间隔层的被保留的部分形成所述第二间隔组；