[发明专利]一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法

权利要求书

1.一种用于控制电加热式半导体废气处理设备降温的方法，其特征在于，包括：

S1：将电加热式半导体废气处理设备停止工作进入冷却运行模式；

S2：将低温气体输送至所述电加热式半导体废气处理设备的气冷腔内，使得所述低温气体由所述电加热式半导体废气处理设备的底部输入，所述气冷腔内的低温气体从所述电加热式半导体废气处理设备的顶部陆续流入所述电加热式半导体废气处理设备的反应腔内部，进行降温，低温气体最终由所述反应腔内部流入回收装置中，经处理后排入大气中；

S3：将低温液体输送至所述电加热式半导体废气处理设备的水冷腔内，使得所述低温液体由所述电加热式半导体废气处理设备的底部输入，直至低温液体充满所述水冷腔，从而加快降温；

S4：当所述反应腔内部和外壁的温度同时小于35℃时，关闭水冷腔的进水调节阀，同时打开水冷腔的出水调节阀，将所述水冷腔内的低温液体排出，当监测不到反应腔内部的低温液体时，降温完成；其中，

当在S2中进行测量所述反应腔外壁的温度，当所述气冷腔内通入低温气体后，所述反应腔外壁的温度小于95℃时，继续S3和S4；或，当在S2中进行测量所述反应腔外壁的温度，当所述气冷腔内通入低温气体后，所述反应腔外壁的温度大于95℃时，终止S3，继续S2，直至所述反应腔外壁的温度小于95℃时，继续S3和S4。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电加热式半导体废气处理设备包括：

反应腔，用于使半导体废气在其内反应；

第一冷却器，所述第一冷却器环绕设置于所述反应腔的外壁上，且连通于所述反应腔内部，对所述反应腔降温；

第二冷却器，所述第二冷却器环绕设置于所述第一冷却器的外壁上，对所述第一冷却器降温。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电加热式半导体废气处理设备还包括：

隔热腔，环绕设置于所述第一冷却器和所述反应腔的外壁之间。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一冷却器包括：

气冷腔，所述气冷腔环绕设置于所述隔热腔的外壁上；

进气管，所述进气管连通所述气冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的底壁；

连通管，所述连通管的一端连通所述气冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的顶壁，所述连通管的另一端设置于所述电加热式半导体废气处理设备的顶壁，且连通于所述电加热式半导体废气处理设备的内部。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电加热式半导体废气处理设备还包括：

回收装置，所述回收装置连通所述反应腔内部。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述回收装置包括：

密闭箱体，所述密闭箱体连通所述反应腔内部；

气体处理组件，所述气体处理组件设置于所述密闭箱体上，用于回收处理所述第一冷却器的气体。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二冷却器包括：

水冷腔，所述水冷腔环绕设置于所述气冷腔的外壁上；

进水管，所述进水管连通所述水冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的底壁；

第一出水管，所述第一出水管的一端连通所述水冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的底壁，所述第一出水管的另一端连通所述回收装置；

第二出水管，所述第二出水管的一端连通所述水冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的顶壁，所述第二出水管的另一端连通所述回收装置。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述反应腔内部和反应腔外壁上设置温度传感器，所述进水管包括进水调节阀，所述第一出水管包括出水调节阀，所述进气管包括进气调节阀。