[发明专利]LDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括：

半导体衬底；

漂移区，所述漂移区位于所述半导体衬底中；

体区，所述体区位于所述漂移区中；

源极及漏极，所述源极位于所述体区中，所述漏极位于所述漂移区中；

栅极介电层，所述栅极介电层覆盖所述漂移区，并延伸至覆盖部分所述源极及部分所述漏极；

栅极，所述栅极覆盖所述栅极介电层，且显露位于所述漂移区上方的部分所述栅极介电层；

金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层覆盖显露的所述栅极介电层，且所述金属硅化物阻挡层包括与所述栅极介电层相接触的氧化硅层及位于所述氧化硅层上的氮氧化硅层；

层间介电层，所述层间介电层覆盖所述栅极、源极、漏极以及所述金属硅化物阻挡层；

金属接触件，所述金属接触件包括栅极金属接触件、源极金属接触件、漏极金属接触件及位于所述氧化硅层表面上的悬停金属接触件。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述氮氧化硅层的消光系数为1.2～1.8，所述氮氧化硅层的压应力为450MPa～150MPa。

3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述氮氧化硅层的厚度小于所述氧化硅层的厚度，所述氮氧化硅层的厚度为

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述栅极介电层具有倾斜面，且所述栅极覆盖所述倾斜面。

5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：还包括位于所述源极及漏极表面的金属硅化物层。

6.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有漂移区；

形成体区、源极、漏极、栅极介电层及栅极，其中，所述体区位于所述漂移区中，所述源极位于所述体区中，所述漏极位于所述漂移区中，所述栅极介电层覆盖所述漂移区，并延伸至覆盖部分所述源极及部分所述漏极，所述栅极覆盖所述栅极介电层，且显露位于所述漂移区上方的部分所述栅极介电层；

形成金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层覆盖显露的所述栅极介电层，且所述金属硅化物阻挡层包括与所述栅极介电层相接触的氧化硅层及位于所述氧化硅层上的氮氧化硅层；

形成层间介电层，所述层间介电层覆盖所述栅极、源极、漏极以及所述金属硅化物阻挡层；

形成金属接触件，所述金属接触件包括栅极金属接触件、源极金属接触件、漏极金属接触件及位于所述氧化硅层表面上的悬停金属接触件。

7.根据权利要求6所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：形成所述金属硅化物阻挡层的步骤包括：

形成氧化硅层；

进行第一热退火处理；

形成氮氧化硅层；

图形化所述氧化硅层及氮氧化硅层；

在所述源极及漏极表面形成金属硅化物层；

进行第二热退火处理，且所述第二热退火处理的温度小于所述第一热退火处理的温度。

8.根据权利要求6所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：形成所述体区、源极、漏极、栅极介电层及栅极的步骤包括：

于所述漂移区中形成体区；

于所述半导体衬底的表面形成栅极介电层及栅极，所述栅极覆盖所述栅极介电层，且显露位于所述漂移区上方的部分所述栅极介电层，所述栅极介电层具有倾斜面，且所述栅极覆盖所述倾斜面；

于所述体区中形成源极，以及于所述漂移区中形成漏极，且部分所述源极及部分所述漏极位于所述栅极介电层下方。

9.根据权利要求6所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：形成所述氮氧化硅层的方法包括PECVD法、离子注入法及氧化处理法中的一种。

10.根据权利要求9所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于：当采用PECVD法时，工艺条件包括压力为4Torr～6Torr、射频功率为120W～140W、SiH₄的体积流量为45sccm～65sccm及N₂O的体积流量为30sccm～45sccm。