[发明专利]基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于有机晶态异质结的紫外光晶体管，其特征在于：包括自上而下依次设置的基底、绝缘层、模板层、晶态有机异质结光敏层以及源漏电极，所述模板层为七联苯，所述晶态有机异质结光敏层包括p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层，所述p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层依次沉积在所述模板层上；

所述p型有机半导体光敏层材质为红荧烯；n型有机半导体光敏层的材质为全氟酞菁铜或N,N'-二正辛烷基-3,4,9,10-苝四甲酰二亚胺。

2.根据权利要求1所述的基于有机晶态异质结的紫外光晶体管，其特征在于：所述晶态有机异质结光敏层的厚度为5-100 nm。

3.根据权利要求1所述的基于有机晶态异质结的紫外光晶体管，其特征在于：所述源漏电极为选自金电极、银电极、铬电极和铝电极中的一种或两种。

4.一种根据权利要求1-3任一项所述的基于有机晶态异质结的紫外光晶体管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）在基底表面形成平整的绝缘层，之后在绝缘层的表面利用真空镀膜法沉积模板层材料，形成模板层；

（2）在所述模板层上先沉积p型有机半导体材料，再沉积n型有机半导体材料，形成晶态有机异质结光敏层，在所述晶态有机异质结光敏层上沉积源漏电极，形成基于有机晶态异质结的紫外光晶体管。

5.根据权利要求4所述的基于有机晶态异质结的紫外光晶体管的制备方法，其特征在于：在步骤（1）中，通过真空升华法沉积模板层，基底的温度为100-150 ℃，在压力为10^-4-10^-5 Pa、沉积速率为0.2-1 nm/min的条件下进行。

6.根据权利要求4所述的基于有机晶态异质结的紫外光晶体管的制备方法，其特征在于：在步骤（2）中，采用真空升华法沉积晶态有机异质结光敏层，依次沉积p型半导体材料和n型半导体材料，基底的温度为20-150 ℃，在压力为10^-4-10^-5 Pa、沉积速率为0.2-1 nm/min的条件下进行。

7.根据权利要求4所述的基于有机晶态异质结的紫外光晶体管的制备方法，其特征在于：在步骤（2）中，通过真空热蒸镀法沉积源漏电极，沉积过程中压力为10^-4-10^-5 Pa，沉积速率为1-5 nm/min。

8.根据权利要求4所述的基于有机晶态异质结的紫外光晶体管的制备方法，其特征在于：在步骤（2）中，源漏电极的图案利用掩膜版技术实现。

9.根据权利要求8所述的基于有机晶态异质结的紫外光晶体管的制备方法，其特征在于：在步骤（2）中，源漏电极图案采用对电极，电极沟道长度50-100 μm，宽度1000-5000 μm，电极宽长比为20-50。