[发明专利]UV-LED器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110759174.6 申请日: 2021-07-05
公开(公告)号: CN113675316A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 李刚;蒋剑涛;钟伟荣 申请(专利权)人: 深圳大道半导体有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;H01L25/075
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 林俭良;王少虹
地址: 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: uv led 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种UV-LED器件,其特征在于,包括具有相对的第一表面和第二表面的无机基板、至少一无机围堰、至少一半导体发光芯片、至少一玻璃盖板、至少一第一无机焊接层以及至少一第二无机焊接层;

所述无机围堰通过所述第一无机焊接层连接在所述无机基板的第一表面上,并且所述无机围堰在所述无机基板的第一表面上界定出位于所述无机围堰内的芯片放置区;所述半导体发光芯片设置在所述芯片放置区内;

所述玻璃盖板通过所述第二无机焊接层连接在所述无机围堰上方,将所述芯片放置区封闭。

2.根据权利要求1所述的UV-LED器件,其特征在于,所述无机基板采用陶瓷、玻璃、微晶玻璃、蓝宝石中至少一种制成;所述无机围堰采用陶瓷、玻璃、微晶玻璃、蓝宝石中至少一种制成。

3.根据权利要求1所述的UV-LED器件,其特征在于,所述无机围堰的内侧面设有至少一金属反射层。

4.根据权利要求1所述的UV-LED器件,其特征在于,所述芯片放置区覆盖有至少一基板反射层。

5.根据权利要求1所述的UV-LED器件,其特征在于,所述无机围堰的内侧面与所述无机基板的第一表面垂直;或者,所述无机围堰的内侧面相对所述无机基板的第一表面倾斜,使所述无机围堰的内侧面与所述无机基板的第一表面之间形成一斜角。

6.根据权利要求1-5任一项所述的UV-LED器件,其特征在于,所述UV-LED器件还包括至少一导电电路;所述导电电路包括设置在所述无机基板的第一表面上的至少一第一焊垫和至少一第二焊垫;

所述半导体发光芯片设有相绝缘的第一焊盘和第二焊盘;所述第一焊盘与所述第一焊垫导电连接,所述第二焊盘与所述第二焊垫导电连接。

7.根据权利要求6所述的UV-LED器件,其特征在于,所述导电电路还包括至少一第一外接焊垫和至少一第二外接焊垫;

所述第一外接焊垫与所述第一焊垫导电连接,所述第二外接焊垫与所述第二焊垫导电连接。

8.根据权利要求7所述的UV-LED器件,其特征在于,所述导电电路还包括贯穿所述无机基板的至少一第一互连金属和至少一第二互连金属;

所述第一外接焊垫设置在所述无机基板的第二表面,通过所述第一互连金属与所述第一焊垫导电连接;

所述第二外接焊垫设置在所述无机基板的第二表面,通过所述第二互连金属与所述第二焊垫导电连接。

9.根据权利要求1-5任一项所述的UV-LED器件,其特征在于,所述芯片放置区填充有惰性气体或者处于真空状态。

10.根据权利要求1-5任一项所述的UV-LED器件,其特征在于,所述无机基板的第二表面设有至少一导热焊垫;和/或,

所述UV-LED器件还包括至少一抗静电保护元件;所述抗静电保护元件设置在所述芯片放置区内并与所述半导体发光芯片并联。

11.一种UV-LED器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、分别制备无机基板、半导体发光芯片、无机围堰和玻璃盖板;

S2、将所述半导体发光芯片设置在所述无机基板的第一表面上;

S3、将所述无机围堰置于所述无机基板的第一表面上;所述无机围堰在所述无机基板的第一表面上界定出位于所述无机围堰内的芯片放置区,所述半导体发光芯片位于所述芯片放置区内;

S4、将所述玻璃盖板置于所述无机围堰上并覆盖在所述芯片放置区的上方;

S5、在加热或在加热加压的条件下,将依次叠加的所述玻璃盖板、无机围堰和无机基板焊接或键合成为一体,并在所述无机围堰与无机基板相接触的界面处形成第一无机焊接层,在所述玻璃盖板与无机围堰相接触的界面处形成第二无机焊接层。

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