[发明专利]一种产生平顶脉冲磁场的电路及方法有效

专利信息
申请号: 202110760182.2 申请日: 2021-07-06
公开(公告)号: CN113595432B 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 彭涛;胡恒;江山;王爽;李亮 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H02M9/04 分类号: H02M9/04;H03K3/53
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 徐美琳
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 产生 平顶 脉冲 磁场 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种产生平顶脉冲磁场的电路,其特征在于,所述产生平顶脉冲磁场的电路包括主回路(11)与磁控回路(12);

所述主回路(11)包括依次串联的第一电容器C1、第一开关S1、双绕组磁控电抗器MCR以及脉冲磁体PM;

所述磁控回路(12)包括串联的第二电容器C2、第二开关S2以及电抗器L;

所述双绕组磁控电抗器MCR包括串联的第一绕组与第二绕组,所述磁控回路(12)并联在所述第二绕组的两端。

2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,第一绕组与第二绕组的绕制匝数相同,绕制方向相反。

3.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述主回路(11)还包括并联在第一电容器C1与第一开关S1两端的续流回路。

4.如权利要求3所述的电路,其特征在于,所述续流回路包括串联的电阻R与单向导通元件。

5.如权利要求4所述的电路,其特征在于,所述单向导通元件为二极管D,所述二极管D的阳极连接至所述第一电容器C1与所述脉冲磁体PM的连接端,所述二极管D的阴极通过所述电阻R连接至所述第一开关S1与所述双绕组磁控电抗器MCR的连接端。

6.如权利要求1-5任一项所述的电路,其特征在于,所述主回路(11)中第一电流i1的脉宽大于所述磁控回路(12)中第二电流i2的脉宽。

7.如权利要求1-5任一项所述的电路,其特征在于,所述双绕组磁控电抗器MCR具有铁芯。

8.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电抗器L用于调节脉冲磁场的平顶时间。

9.一种基于权利要求1至8任一项所述的电路的产生平顶脉冲磁场的方法,其特征在于,包括以下步骤:

断开第一开关S1和第二开关S2,对第一电容器C1与第二电容器C2进行充电,直至充电电压到达设定电压;

闭合第一开关S1,在主回路电流i1上升的过程中,根据设定的触发时刻闭合第二开关S2,在磁控回路电流i2上升的过程中,流过脉冲磁体PM的脉冲电流上升被抑制以形成平顶脉冲磁场。

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