[发明专利]晶圆生产监控方法、系统与电子设备

权利要求书

1.一种晶圆生产监控方法，其特征在于，包括：

在生产晶圆经过多个工艺站点到达光刻工艺站点后，获取所述生产晶圆当前层与参考层的多个套刻误差；

将所述多个套刻误差满足预设条件的所述生产晶圆标记为待检晶圆；

在所述待检晶圆的数量达到第一预设值时，根据每个所述生产晶圆中的所述多个套刻误差的特征确定待检工艺站点，所述待检工艺站点为对全部所述生产晶圆的套刻误差特征影响最大的工艺站点；

根据所述待检工艺站点中的多个机台与所述待检晶圆的对应关系在所述待检工艺站点中确定待检机台。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述生产晶圆当层与前层的套刻误差包括获取所述生产晶圆当前层与参考层的套刻误差图像，所述根据每个所述生产晶圆中的所述多个套刻误差的特征确定待检工艺站点包括：

根据多个所述生产晶圆的所述套刻误差图像确定至少一个套刻误差特征；

确定目标生产晶圆的套刻误差图像与所述套刻误差特征的相关度，所述目标生产晶圆为多个所述生产晶圆中的任意一个；

根据所述相关度最大的所述套刻误差特征确定所述目标生产晶圆的待识别特征；

获取所述目标生产晶圆在所述多个工艺站点的多个工艺误差特征；

确定所述多个工艺误差特征与所述待识别特征的相似度，将所述相似度最大的工艺误差特征对应的工艺站点确定为对所述目标生产晶圆的套刻误差特征影响最大的目标工艺站点。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述目标生产晶圆的套刻误差图像与所述套刻误差特征的相关度包括：所述目标生产晶圆的套刻误差图像对每个所述套刻误差特征的贡献因子。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述目标生产晶圆的套刻误差图像与所述套刻误差特征的相关度包括：每个所述套刻误差特征对所述目标生产晶圆的套刻误差图像的贡献因子。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述相关度最大的所述套刻误差特征确定所述目标生产晶圆的待识别特征包括：

在最大的所述相关度大于等于第二预设值时，确定最大的所述相关度对应的套刻误差特征在所述目标生产晶圆的套刻误差图像中的对应区域为所述目标生产晶圆的待识别特征；

在最大的所述相关度小于所述第二预设值时，判断所述目标生产晶圆不存在待识别特征。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据每个所述生产晶圆中的所述套刻误差特征确定待检工艺站点包括：

根据每个所述生产晶圆对应的目标工艺站点确定每个所述工艺站点作为目标工艺站点的次数；

将所述次数最大的所述工艺站点确定为所述待检工艺站点。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述多个套刻误差满足预设条件的所述生产晶圆标记为待检晶圆包括：

在所述多个套刻误差的平均值超过第三预设值时，将所述生产晶圆标记为待检晶圆。

8.如权利要求1所述的晶圆生产监控方法，其特征在于，所述将所述多个套刻误差满足预设条件的所述生产晶圆标记为待检晶圆包括：

确定所述多个套刻误差中超过第四预设值的超标套刻误差的数量；

在所述超标套刻误差的数量超过第五预设值时，将所述生产晶圆确定为待检晶圆。

9.如权利要求1所述的晶圆生产监控方法，其特征在于，所述根据所述待检晶圆与所述待检工艺站点中的多个机台的对应关系在所述待检工艺站点中确定待检机台包括：

确定所述待检工艺站点中每个机台对应的待检晶圆数量；

将对应的待检晶圆数量最多的机台确定为所述待检机台。