[发明专利]一种太赫兹探测器

权利要求书

1.一种太赫兹探测器，其特征在于，包括：

衬底层；

金属反射层，设置在所述衬底层之上；

介电间隔层，设置在所述金属反射层之上；

第一狄拉克半金属层和第二狄拉克半金属层，对称设置在所述介电间隔层之上；

金属光栅层，设置在所述介电间隔层之上且位于所述第一狄拉克半金属层和所述第二狄拉克半金属层之间。

2.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其特征在于，所述第一狄拉克半金属层和所述第二狄拉克半金属层均为第二类狄拉克半金属碲化钯层。

3.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其特征在于，所述介电间隔层的厚度h₂由下列公式计算得到：

其中，β为等离激元波导模式的传播常数，ε_i为所述介电间隔层的相对介电常数，ε_m为所述金属光栅层的相对介电常数，k₀为光的自由空间波矢量。

4.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其特征在于，所述介电间隔层的长度和所述介电间隔层的宽度均等于光波波长的1/3倍～1/2倍。

5.根据权利要求4所述的太赫兹探测器，其特征在于，所述金属光栅层包括若干平行设置的金属栅条，所述金属栅条的两端分别与所述第一狄拉克半金属层和所述第二狄拉克半金属层垂直。

6.根据权利要求5所述的太赫兹探测器，其特征在于，所述金属栅条的长度等于所述介电间隔层的长度的1/2倍～3/5倍，所述金属栅条的宽度等于所述介电间隔层的宽度的1/10倍～2/10倍，所述金属栅条的周期等于所述太赫兹探测器的探测波长的1/10倍～3倍。

7.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其特征在于，所述金属反射层的厚度大于等于电磁波在所述金属反射层中趋肤深度的2倍。

8.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其特征在于，所述的介电间隔层为SiO₂、Al₂O₃或HfO₂薄膜层。

9.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其特征在于，所述金属光栅层和所述金属反射层均为金层、银层、铝层；或者所述金属光栅层和所述金属反射层均为金、银、铝任意两种或三种的合金层。

10.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其特征在于，所述的衬底层为表面有SiO₂膜层的硅片。