[发明专利]铜基石墨烯包覆结构及其制备方法

权利要求书

1.铜基石墨烯包覆结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、将铜基片置于匀胶机中，将正胶均匀的覆盖于铜基片表面，以75℃—90℃对覆盖正胶的铜基片进行烘烤；

步骤二、将菲林板覆盖于正胶上，开启气吸开关，使菲林板与正胶贴紧；打开紫外曝光灯，对正胶进行曝光；

步骤三、将曝光后的铜基片置于显影液中完成显影，之后使用去离子水对铜基片进行多次超声清洗；

步骤四、在显影后的铜基片表面涂抹腐蚀溶液，使其对显影后的铜进行腐蚀，将没有覆盖光刻胶的铜刻蚀掉形成与菲林板相同的铜基结构，之后使用去离子水对铜基结构进行多次超声清洗；

步骤五、将铜基结构置于高温炉中，密闭后抽真空，当气压低于0帕后，向真空室通入氩气，当流量稳定后，开始退火处理；

步骤六、将退火处理后的铜基结构置于化学气相沉积系统中，以甲烷作为碳源，氢气作为还原剂，在铜基结构表面立体生长石墨烯；控制分解速率和成核密度，将石墨烯立体包覆于铜基结构表面，完成双面叠加铜基石墨烯包覆结构的制备；

所述步骤一中，烘烤时间持续15—20分钟：

所述步骤二中，曝光时电流为200毫安，时间为25秒；

所述步骤五中，通入氩气控制气体流量为20sccm；

所述步骤五中，退火处理时保持700℃持续30分钟；

所述步骤六中，控制分解速率和成核密度，具体为：以甲烷流量为55sccm，氢气流量为15sccm，以1020℃持续生长30分钟；快速降温后将铜基结构翻面，以甲烷流量为55sccm，氢气流量为15sccm，以1020℃持续生长10分钟。

2.根据权利要求1所述铜基石墨烯包覆结构的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述铜基片的大小为20*20—50*50毫米。

3.根据权利要求2所述铜基石墨烯包覆结构的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述匀胶机的转速为2200—3000转每分钟，正胶旋涂时间为25—40秒。

4.根据权利要求3所述铜基石墨烯包覆结构的制备方法，其特征在于，所述步骤四中，所述的腐蚀溶液为氯化铵溶液或者盐酸溶液。

5.根据权利要求1所述制备方法制得的双面叠加铜基石墨烯包覆结构。