[发明专利]显示面板和显示装置有效
申请号: | 202110765996.5 | 申请日: | 2021-07-07 |
公开(公告)号: | CN113257885B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 李新国;郝学光;吴新银;乔勇;李盼 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒;王小会 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
提供一种显示面板和显示装置。该显示面板,包括:衬底基板;子像素,位于衬底基板上,包括像素电路和发光元件,发光元件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的发光功能层,第一电极为像素电极,第一电极比第二电极更靠近衬底基板;像素限定层,包括第一开口,像素限定层的第一开口限定发光元件的发光区域;垫块,位于发光元件和像素电路之间;以及第一电源线,被配置为向像素电路提供恒定的第一电压信号,其中,垫块与第一电源线电连接,发光元件的第一电极在衬底基板上的正投影与垫块在衬底基板上的正投影至少部分交叠,像素限定层的第一开口在衬底基板上的正投影与垫块在衬底基板上的正投影至少部分交叠。
技术领域
本公开至少一实施例涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,有源矩阵型有机发光二极管(Active-Matrix OrganicLight-Emitting Diode,AMOLED)显示技术因其自发光、广视角、高对比度、低功耗、高反应速度等优点已经在手机、平板电脑、数码相机等显示装置上得到越来越多地应用。
发明内容
本公开的至少一实施例涉及一种显示面板和显示装置。
本公开的至少一实施例提供一种显示面板,包括:衬底基板;子像素,位于所述衬底基板上,包括像素电路和发光元件,所述像素电路被配置为驱动所述发光元件,所述发光元件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,所述第一电极为像素电极,所述第一电极比所述第二电极更靠近所述衬底基板,所述发光元件包括发光区域;像素限定层,包括第一开口,所述像素限定层的所述第一开口限定所述发光元件的所述发光区域;垫块,位于所述发光元件和所述像素电路之间;以及第一电源线,被配置为向所述像素电路提供恒定的第一电压信号,其中,所述垫块与所述第一电源线电连接,所述发光元件的所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述像素限定层的所述第一开口在所述衬底基板上的正投影与所述垫块在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
例如,所述衬底基板包括主表面,所述子像素位于所述衬底基板的所述主表面上,所述发光元件的所述第一电极对应所述发光区域的部分与所述主表面之间的最大距离为d01,所述发光元件的所述第一电极对应所述发光区域的部分与所述主表面之间的最小距离为d02,所述最大距离d01和所述最小距离d02的差值为Δd,所述发光区域的面积为A,,所述子像素包括第一子像素,所述垫块包括第一垫块,所述第一垫块与所述第一子像素的所述发光区域交叠,所述第一子像素的R0的取值范围为0≦R0≦11.9 ‰。
例如,所述子像素还包括第二子像素,所述垫块还包括第二垫块,所述第二垫块与所述第二子像素的所述发光区域交叠,所述第二子像素的R0的取值范围均为0≦R0≦11.9‰。
例如,显示面板还包括数据线,所述子像素还包括第三子像素和第四子像素,所述数据线被配置为向所述像素电路提供数据信号,所述数据线包括第一数据线和第二数据线,所述第一数据线和所述第二数据线与所述第三子像素的所述发光区域交叠,所述第一数据线和所述第二数据线与所述第四子像素的所述发光区域交叠,所述第一垫块和所述第二垫块在第一方向上排列,所述第一数据线和所述第二数据线在所述第一方向上排列,所述第三子像素和所述第四子像素构成子像素对,所述子像素对的R0的取值范围为0≦R0≦11.9 ‰。
例如,所述第一垫块、所述第一数据线和所述第二数据线、所述第二垫块在所述第一方向上排列。
例如,所述第一子像素的所述发光区域的面积大于所述第三子像素的所述发光区域的面积,并且所述第一子像素的所述发光区域的面积大于所述第四子像素的所述发光区域的面积;所述第二子像素的所述发光区域的面积大于所述第三子像素的所述发光区域的面积,并且所述第二子像素的所述发光区域的面积大于所述第四子像素的所述发光区域的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的