[发明专利]存储器装置、集成电路及存储器装置的制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其中，包括：

晶体管，包括：

第一栅极电极；

第二栅极电极，位于所述第一栅极电极上；

沟道层，位于所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间；以及

栅极介电层，位于所述沟道层与所述第二栅极电极之间；以及

存储单元，夹置在所述第一栅极电极与所述沟道层之间。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一栅极电极连接到对地电压。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第二栅极电极连接到比所述对地电压高的电压。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储单元包括：

障壁层，设置在所述第一栅极电极上；

穿隧层，设置在所述障壁层上；以及

陷获层，夹置在所述障壁层与所述穿隧层之间。

5.一种集成电路，其中，包括：

衬底；

第一晶体管，位于所述衬底上；以及

内连线结构，设置在所述衬底上，包括：

多个介电层；以及

存储器装置，嵌置在所述多个介电层中的一者中，包括：

第二晶体管，包括：

第一栅极电极；

沟道层，位于所述第一栅极电极上；

第二栅极电极，位于所述沟道层上；

栅极介电层，位于所述沟道层与所述第二栅极电极之间；以及

源极/漏极区，位于所述沟道层与所述栅极介电层之间；以及

存储单元，夹置在所述第一栅极电极与所述沟道层之间。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述沟道层包含氧化物半导体材料或二维材料。

7.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述存储单元包括铁电层。

8.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述源极/漏极区与所述沟道层及所述存储单元实体接触。

9.一种存储器装置的制造方法，其中，包括：

提供介电层；

在所述介电层上形成第一栅极电极；

在所述介电层及所述第一栅极电极上共形地形成存储单元；

在所述存储单元上沉积沟道层；

在所述沟道层及所述存储单元上形成源极/漏极区；

在所述源极/漏极区及所述存储单元上沉积栅极介电层；以及

在所述栅极介电层上形成第二栅极电极。

10.根据权利要求9所述的存储器装置的制造方法，还包括：

在所述栅极介电层中形成开口，以暴露出所述源极/漏极区的至少一部分；以及

在所述栅极介电层上形成源极/漏极接触件，其中所述源极/漏极接触件延伸到所述开口中以与所述源极/漏极区实体接触。